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研究者情報(教員一覧)

学術論文

  1. 岡本隼人(専攻科卒) 工藤康平(専攻科卒) 野満建至(専攻科卒) 餅井亮介(専攻科) 茂藤健太(専攻科卒) 高倉健一郎 角田功,
    "Au induced low-temperature formation of preferentially (111)-oriented crystalline Ge on insulator",
    Jpn. J. Appl. Phys. Volume 55, 04EJ10 (2016).,平成28年3月
  2. 茂藤健太(専攻科卒) 崎山晋(専攻科卒) 岡本隼人(専攻科卒) 原英之(フルカーバイオスピン) 西村浩人(ブルカーバイオスピン) 高倉健一郎 角田功,
    "Enhancement of Au induced lateral crystallization in electron irradiated amorphous Ge on SiO2",
    Jpn. J. Appl. Phys. Volume 55, 04EJ06 (2016).,平成28年3月
  3. 高倉健一郎 堀眞聡(専攻科卒) 米岡将士 角田功 中島俊之(中央電子工業)E. Simoen(imec) C. Claeys(imec),
    "Thermal recovery process of electron irradiated Si1-xCx source/drain n-MOSFETs",
    Physica Status Solidi C. vol.12, pp. 1405-1408.,平成27年9月
  4. S. Duenas(University of Valladolid), H. Castan(University of Valladolid), H. Garcia(University of Valladolid), L.M. Fuentes(University of Valladolid), L. Bailon(University of Valladolid), F. Campabadal(IMB-CNM), J.M.Rafi(IMB-CNM), M.B. Gonzalez(IMB-CNM), 高倉健一郎, 角田功, 米岡将士,
    "Hole trap distribution on 2MeV electron irradiated high-k dielectrics",
    Journal of Vacuum Science and Technology B, vol.33, 032201 (7pages).,平成27年3月
  5. 大山英典(情報, 通信エレクトロ, ニクス工学科),    高倉健一, 郎(情報通信エレ, クトロニクス工学, 科)本木実(情報, 通信エレクトロニ, クス工学科)松, 尾和典(制御情, 報システム工学, 科)M. Gonzalez, (IMEC)  , Eddy Simoen, (IMEC) Cor, Claeys (IMEC) ,
    "Device performance of Ge p-MOSFETs at liquid nitrogen temperature",
    Thin Solid Films, Vol. 518, pp. 2513-2516,平成22年5月
  6. 大山英典(情報通, 信エレクトロニク, ス工学科)   , 高倉健一郎(情報, 通信エレクトロニ, クス工学科)本木, 実(情報通信エレ, クトロニクス工学, 科)松尾和典(制, 御情報システム工, 学科)G.Eneman, (IMEC)  , Eddy Simoen, (IMEC) Cor, Claeys (IMEC) ,
    "Eff ects of electron irradiation on SiGe devices",
    Thin Solid Films, Vol. 518, pp. 2517-2520,平成22年5月
  7. 大山英典(情報, 通信エレクトロ, ニクス工学科),    高倉健一, 郎(情報通信エレ, クトロニクス工学, 科)吉野賢二(宮, 崎大)中島敏之, (中央電子工業), Eddy Simoen, (IMEC) Cor, Claeys (IMEC) ,
    "Degradation of GaN LEDs by electron irradiation",
    Materials and Engineering B,Voll. 173, pp. 57-60,平成22年8月
  8. 大山英典、坂本敬太、鋤先英樹、高倉健一郎、塚本真幹、松尾和典、角田功(熊本高専)、加藤一成(菱栄テクニカ)、中島敏之(中央電子工業)、E.Simoen、B.De Jaeger、C.Claeys(imec),
    "Damages of Ge devices by 2-MeV electrons and their recovery",
    Microelectronic Engineering, vol.88, pp.480?483,2011年 (平成23年) 6月
  9. 大山英典(熊本高専)、中庸行(堀場製作所)、高倉健一郎、角田功(熊本高専)、M.B.Gonzalez、E.Simoen、C.Claeys(imec),
    "Evaluation of electron irradiated embedded SiGe source/drain diodes by Raman spectroscopy",
    Microelectronic Engineering, vol.88, pp.484?487,2011年 (平成23年) 6月
  10. 中島敏之(中央電子工業)、出本竜也、角田功、高倉健一郎、米岡将士、大山英典(熊本高専)、吉野賢二(宮崎大学)、M.B. Gonzalez、 E. Simoen、C. Claeys (imec),
    "Radiation damage of Si1-xGex S/D p-type metal oxide semiconductor field effect transistor with different Ge concentrations",
    Thin Solid Films, vol.520, pp.3337-3340,2012年 (平成24年) 2月
  11. 広瀬維子(東京理科大学), 藁沢萌(東京理科大学), 角田功(情報通信エレクトロニクス工学科), 高倉健一郎(情報通信エレクトロニクス工学科), 杉山睦(東京理科大学),
    "Effects of Proton Irradiation on Optical and Electrical Properties of Cu(In, Ga)Se2 Solar Cells",
    Japanese Journal of Applied Physics, vol. 51, p.111802,平成24年11月
  12. 高倉健一郎、船崎優、角田功、大山英典(熊本高専)、竹内大輔(産総研)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(エコマザー)、村上克也(日本ガスケミ)、E.Simoen、C.Claeys(imec), ,
    "Investigation of the Si doping effect in b-Ga2O3 films by co-sputtering of gallium oxide and Si",
    Physica B vol.407, pp.2900-2902,平成24年8月
  13. 角田功(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、中庸行(堀場製作所)、出本竜也、米岡将士、高倉健一郎(熊本高専)、吉野賢二(宮崎大学)、M.B.Gonzalez、E. Simoen 、C. Claeys(imec)、大山英典(熊本高専),
    "Local compressive stress generation in electron irradiated boron-doped Si0.75Ge0.25/Si devices",
    Phys. Status Solidi C, vol.9, pp.2058-2061,平成24年10月
  14. J.M. Raf?、F. Campabadal(IMB-CNM)、大山英典、高倉健一郎、角田功(熊本高専)、M. Zabala、O. Beldarrain、M.B. Gonz?lez、H. Garc?a、H. Cast?n、A. G?mez、S. Due?as(IMB-CNM),
    "2 MeV electron irradiation effects on the electrical characteristics of metal?oxide?silicon capacitors with atomic layer deposited Al2O3, HfO2 and nanolaminated dielectrics",
    Solid-State Electronics, vol.79, pp.65-74,平成25年1月
  15. H. Garcia, H. Castan, S. Duenas, L. Bailon, F. Campabadal, J.M. Rafi, M. Zabala, O. Beldarrain (IMB-CNM), H. Ohyama, K. Takakura, I. Tsunoda(KNCT), ,
    "2 MeV electron irradiation effects on bulk and interface of atomic layer deposited high-k gate dielectrics on silicon",
    Thin Solid Films, vol.534, pp.482-487,平成25年1月
  16. J.M. Rafi(IMB-CNM),, M.B. Gonzalez(IMB-CNM),, K. Takakura,, I. Tsunoda,, M. Yoneoka,, O. Beldarrain(IMB-CNM),, M. Zabala(IMB-CNM),, F. Campabadal(IMB-CNM),
    "Impact of electrical stress on the electrical characteristics of 2?MeV electron irradiated metal-oxide-silicon capacitors with atomic layer deposited Al2O3, HfO2 and nanolaminated dielectrics",
    Solid-state Electronics, vol.89, pp.198-206,平成25年11月
  17. Toshiyuki Nakashima(中央電子),, Masashi Yoneoka,, Isao Tsunoda,, Kenichiro Takakura, Mireia Bargallo Gonzalez(IMB-CNM),, Eddy Simoen(IMEC),, Cor Claeys(IMEC),, Kenji Yoshino(宮崎大学),
    "Increased Radiation Hardness of Short-Channel Electron-Irradiated Si1-xGex Source/Drain p-Type Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors at Higher Ge Content ",
    Japanese Journal of Applied Physics, vol.52, pp.094201-1 ? 094201-5,平成25年9月
  18. M. Hori(専攻科),, Y. Asai(専攻科卒),, M. Yoneoka,, I. Tsunoda,, K. Takakura,, T. Nakashima(中央電子工業),, E. Simoen(IMEC),, C. Claeys(IMEC),
    "Evaluation of degradation due to electron irradiation of Si1-xCx S/D n-type MOSFETs",
    Materals Science Forum, vol.778-780,pp.1197-1200,平成26年2月
  19. 崎山晋(専攻科卒),, 金子貴博(専攻科卒),, 大坪孝総(電子工学科卒), , 酒井崇嗣(専攻科),, 中嶋一敬(専攻科),, 茂藤健太(専攻科),, 米岡将士,, 高倉健一郎,, 角田功,
    "Enhanced Au induced lateral crystallization in electron-irradiated amorphous Ge on SiO2",
    Thin Solid Films, vol.557, pp.151-154.,平成26年4月
  20. 中島敏之(中央電子工業),, 浅井勇輝(専攻科卒),, 堀眞聡(専攻科), , 米岡将士,, 角田功,, 高倉健一郎,, M.B.Gonzalez(IMB-CNM),, E. Simoen(IMEC),, C. Claeys(IMEC),
    "Radiation tolerance of Si1-yCy source/drain n-type metal oxide semiconductor field effect transistors with different carbon concentrations",
    Thin Solid Films, vol.557, pp.307-310.,平成26年4月
  21. S. Duenas(University of Valladolid),H. Castan(University of Valladolid),H. Garcia(University of Valladolid),L.M. Fuentes(University of Valladolid),L. Bailon(University of Valladolid),F. Campabadal(IMB-CNM),J.M.Rafi(IMB-CNM),M.B. Gonzalez(IMB-CNM),高倉健一郎,角田功,米岡将士,
    "Hole trap distribution on 2MeV electron irradiated high-k dielectrics",
    Journal of Vacuum Science and Technology B, vol.33, 032201 (7pages).,平成27年3月

研究紀要

  1. 高倉健一郎(情報通信エレクトロニクス工学科), 角田 功(情報通信エレクトロニクス工学科), 大山英典(情報通信エレクトロニクス工学科), 竹内大輔(AIST), 中島敏之(CDK), 高尾周一郎(CDK), 村上克也(日本ガスケミ), 山本博康(テクノデザイン),
    "シリコン添加による酸化ガリウム膜の電気光学特性への影響とX 線光電子分光スペクトル評価",
    熊本高等専門学校研究紀要第2号, pp.89-92.,平成22年12月

国際学会等発表

  1. 緒方洋(情報通信エレクトロニクス工学科5年) 石本浩起(専攻科) 木場信一郎 角田功 高倉健一郎,
    " Investigation of beta-gallium oxide phase transition tempertature on sapphire substrates",
    HANU-KO_SEN Joint conference on Global Network in a Cross-Sultural Environment 2015 (HKJC 2015),平成27年12月
  2. 松崎光成(電子情報システム工学専攻1年) 井芹健人(情報通信エレクトロニクス工学科6年) 米岡将士 角田功 高倉健一郎 E. Simoen (imec) C. Claeys (imec),
    "Study of the Thermal Recovery for Si:C S/D n-MOSFETs",
    The 11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (11th RASEDA),平成27年11月
  3. 石本浩起(電子情報システム工学専攻) 緒方洋 木場信一郎 角田功 高倉健一郎,
    "Investigation of crystal orientation of b-Ga2O3 thin film grown on sapphire substrate by room temperature deposition and subsequent annealing",
    International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015,平成27年11月
  4. 岡本 隼人(専攻科卒), 工藤 康平(専攻科), 野満 建至(専攻科), 高倉 健一郎, 角田 功,
    "Au induced low temperature formation of (111) preferential orientated crystalline Ge on insulator",
    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015),平成27年9月
  5. 高倉健一郎 緒方洋(情報通信エレクトロニクス工学科5年) 井上友貴(電子情報システム工学専攻) 米岡将士 角田功 E. Simoen (imec) C. Claeys (imec),
    "Investigation of the electrical properties of carbon doped Si0.75Ge0.25/Si hetero junction diodes by 2 MeV electron irradiation ",
    29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2015),平成27年7月
  6. 高倉健一郎 井芹健人(情報通信エレクトロニクス工学科5年) 後藤太希(熊本大学) 米岡将士 角田功 E. Simoen (imec) C. Claeys (imec),
    "Radiation hardness of electrical properties of n-channel UTBOX SOI MOSFETs by 2 MeV electron irradiation",
    28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2015),平成27年7月
  7. 井芹健人(情報通信エレクトロニクス工学科5年) 後藤太希(熊本大学) 米岡将士 角田功 高倉健一郎 E. Simoen (imec) C. Claeys (imec),
    "Investigation of the radiation tolerance of carbon doped Si0.25Ge0.75/Si hetero junction diode by 2 MeV electrons",
    The 34th Electron Materials Symposium (EMS34),平成27年7月
  8. 井澤桃香(電子情報システム工学専攻1年) 井芹健人(情報通信エレクトロニクス工学科5年) 後藤太希(熊本大学) 米岡将士 角田功 高倉健一郎 E. Simoen (imec) C. Claeys (imec),
    "A study on the influence of BOX layer for SOI FinFETs by electron irradiation",
    The 34th Electron Materials Symposium (EMS34),平成27年7月
  9. 伊藤宏志(情報通信エレクトロニクス工学科5年) 堀眞聡(電子情報システム工学専攻) 米岡将士 角田功 高倉健一郎 E. Simoen (imec) C. Claeys (imec),
    "Comparative evaluation of radiation characteristics of Si MOSFETs with C and Ge addition in S/D",
    The 34th Electron Materials Symposium (EMS34),平成27年7月
  10. 緒方洋(情報通信エレクトロニクス工学科5年) 高倉健一郎 角田功 E. Simoen (imec) C. Claeys (imec),
    "Investigation of the radiation tolerance of carbon doped Si0.25Ge0.75/Si hetero junction diode by 2 MeV electrons ",
    The 34th Electron Materials Symposium (EMS34),平成27年7月
  11. 工藤 康平(専攻科), 野満 建至(専攻科), 岡本 隼人(専攻科卒), 高倉 健一郎, 角田 功,
    "(111) oriented crystal Ge on insulator by low temperature (~200oC) gold induced crystallization",
    The 34th Electron Materials Symposium (EMS34),平成27年7月
  12. 草野 欽太(専攻科), 工藤 和樹(専攻科), 酒井 崇嗣(専攻科卒), 本山 慎一(サムコ株式会社), 楠田 豊(サムコ株式会社), 古田 真浩(サムコ株式会), 中 庸行(株式会社堀場製作所), 沼田 朋子(株式会社堀場製作所), 高倉 健一郎, 角田 功,
    "Au induced lateral crystallization for stressed amorphous Ge on insulating substrate",
    The 34th Electron Materials Symposium (EMS34),平成27年7月
  13. 坂口 大成(専攻科) 堀 眞聡(専攻科卒) 茂藤 健太(専攻科卒) 米岡将士 高倉 健一郎 角田 功,
    "Amorphicity modulation effect on Au induced lateral crystallization for amorphous Ge on SiO2",
    The 34th Electron Materials Symposium (EMS34),平成27年7月
  14. 高倉健一郎 堀眞聡(専攻科卒) 米岡将士 角田功 中島敏之(中央電子工業) E. Simoen (imec) C. Claeys (imec),
    "Thermally recovery process of electron irradiated Si1-xCx source/drain n-MOSFETs",
    European Materials Research Society 2015 Spring meeting,平成27年5月
  15. 大山英典(情報通, 信エレクトロニク, ス工学科)   , 高倉健一郎(情報, 通信エレクトロニ, クス工学科)角田, 功(情報通信エレ, クトロニクス工学, 科)本木実(情報, 通信エレクトロニ, クス工学科)松尾, 和典(制御情報シ, ステム工学科), 中島敏之(中央, 電子工業) Ben, Jaeger (IMEC), Eddy Simoen, (IMEC) Cor, Claeys (IMEC),
    "Damages of Ge devices by 2-MeV electrons and their recovery",
    proceeding of E-MRS 2010 Spring Meeting, Congress center Strasbourg France, June 7-11, 2010, pp. HP-1,平成22年6月
  16. 大山英典(情報, 通信エレクトロ, ニクス工学科), 高倉健一郎(情報, 通信エレクトロニ, クス工学科)角田, 功(情報通信エレ, クトロニクス工学, 科) 中 庸行(堀, 場製作所)Mirea, Gonzalez(IMEC), Eddy Simoen, (IMEC) Cor, Claeys (IMEC),
    "Evaluation of electron irradiated embedded SiGe source/drain diodes by Raman spectroscopy",
    proceeding of E-MRS 2010 Spring Meeting, Congress center Strasbourg France, June 7-11, 2010, pp. HP- 2,平成22年6月
  17. 高倉健一郎(情報, 通信エレクトロニ, クス工学科), 角田功(情報通信, エレクトロニクス, 工学科), 大山英典(情報通, 信エレクトロニク, ス工学科), 中島敏之(中央電, 子工業), 久保山智司, (JAXA),
    "Study of electrical properties for electron irradiated 4H-SiC MESFETs evaluated by channel resistance",
    Fourth International Conference on Science and Technology of Advanced Ceramics (STAC4), Proceedings of STAC4, p.152, Yokohama (Japan).,平成22年7月
  18. 高倉健一郎(情報通信エレクトロニクス工学科), 古閑大輝(専攻科2年), 船崎優(電子工学科5年), 角田功(情報通信エレクトロニクス工学科), 大山英典(情報通信エレクトロニクス工学科), 中島敏之(中央電子工業), 萱本良雄(湖東製作所), 村上克也(日本ガスケミ),
    "Investigation of the growth condition of gallium oxide films by RF magnetron sputtering",
    Fourth International Conference on Science and Technology of Advanced Ceramics (STAC4), Proceedings of STAC4, p.144, Yokohama (Japan).,平成22年7月
  19. 永冨雄太(専攻科1年), 高倉健一郎(情報通信エレクトロニクス工学科), 角田功(情報通信エレクトロニクス工学科), 米岡将士(技術センター), 大山英典(情報通信エレクトロニクス工学科), 中島敏之(中央電子工業), E. Simoen (IMEC), C. Claeys (IMEC), 久保山智司(JAXA),
    "Annealing behavior of electrical performances for electron irradiated InGaN LED",
    Extended Abstracts of 29th electronic Materials Symposium EMS-29, pp.31-32.,平成22年7月
  20. 船崎優(専攻科1年), 高倉健一郎(情報通信エレクトロニクス工学科), 角田功(情報通信エレクトロニクス工学科), 大山英典(情報通信エレクトロニクス工学科), 竹内大輔(産総研), 中島敏之(中央電子工業), 萱本久仁夫(湖東製作所), 渋谷睦夫(日本ガスケミ), 山本博康(テクノデザイン),
    "Evaluation of Si doped b-Ga2O3 thin films by optical characteristics",
    Extended Abstracts of 29th electronic Materials Symposium EMS-29, pp.39-40.,平成22年7月
  21. 出本竜也(専攻科1年), 米岡将士(技術センター), 高倉健一郎(情報通信エレクトロニクス工学科), 角田功(情報通信エレクトロニクス工学科), 大山英典(情報通信エレクトロニクス工学科), 中島敏之(中央電子工業), M. Gonzalez (IMEC), E. Simoen (IMEC), C. Claeys (IMEC),
    "Evaluation of degradation and thermally recovery behavior of electron irradiated SiGe S/D pMOSFET",
    Extended Abstracts of 29th electronic Materials Symposium EMS-29, pp.149-150.,平成22年7月
  22. 出本竜也(専攻科1年), 米岡将士(技術センター), 高倉健一郎(情報通信エレクトロニクス工学科), 角田功(情報通信エレクトロニクス工学科), 大山英典(情報通信エレクトロニクス工学科), 中島敏之(中央電子工業), M. Gonzalez (IMEC), E. Simoen (IMEC), C. Claeys (IMEC),
    "Evaluation of degradation and thermally recovery behavior of electron irradiated SiGe S/D pMOSFET",
    Extended Abstracts of 29th electronic Materials Symposium EMS-29, pp.149-150.,平成22年7月
  23. 津曲大喜(専攻科1年), 高倉健一郎(情報通信エレクトロニクス工学科), 角田功(情報通信エレクトロニクス工学科), 大山英典(情報通信エレクトロニクス工学科), 中島敏之(中央電子工業), 青木大成(菱栄テクニカ), 金子朋裕(菱栄テクニカ), 加藤一成(菱栄テクニカ),
    "Investigation of electron-irradiated commercial Si Transistors for rad-hard device",
    Extended Abstracts of 29th electronic Materials Symposium EMS-29, pp.151-152.,平成22年7月
  24. 平山純也、東孝洋、角田功、米岡将士、高倉健一郎、大山英典(熊本高専)、J. M. Rafi (CNM)、J. Vanhellemont(ゲント大学),
    "Comparison of electrical performances of undoped and Ge doped SiGe diodes by 2-MeV electron irradiation",
    30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), Extended abstracts of 30th Electronic Materials Symposium, pp. 199-202, Shiga (Japan).(ポスター発表),2011年 (平成23年) 6月
  25. 長岡裕一、出本竜也(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、米岡将士、角田功、高倉健一郎、大山英典(熊本高専)、M.B. Gonzalez、E. Simoen、C. Claeys (imec),
    "Electron irradiation effects of Si1-xGex (030th Electronic Materials Symposium (EMS-30), Extended abstracts of 30th Electronic Materials Symposium, pp. 203-204, Shiga (Japan).(ポスター発表),2011年 (平成23年) 6月
  26. 田中龍之、塚本真幹、出本竜也、角田功、米岡将士、高倉健一郎、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、E. Simoen 、C. Claeys (imec),
    "Influence of 2-MeV electron irradiation for the electrical properties of Ge diode",
    30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), Extended abstracts of 30th Electronic Materials Symposium, pp. 205-208, Shiga (Japan).(ポスター発表),2011年 (平成23年) 6月
  27. 中島敏之(中央電子工業)、塚本真幹、角田功、高倉健一郎、米岡将士、大山英典(熊本高専)、吉野賢二(宮崎大学)、E. Simoen、B. De Jaeger、C. Claeys (imec),
    "The electron-irradiation degradation and thermal-annelaing recovery in Ge diode and MOSFET",
    30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), Extended abstracts of 30th Electronic Materials Symposium, pp. 209-212, Shiga (Japan).(ポスター発表),2011年 (平成23年) 6月
  28. 浅井勇輝、角田功、高倉健一郎、米岡将士、大山英典(熊本高専)、M.B. Gonzalez、E. Simoen、B. De Jaeger、C. Claeys (imec),
    "Evaluation of electrical properties for electron irradiated Si1-xCx diodes",
    30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), Extended abstracts of 30th Electronic Materials Symposium, pp. 217-218, Shiga (Japan).(ポスター発表),2011年 (平成23年) 6月
  29. 高倉健一郎、船崎優、角田功、大山英典(熊本高専)、竹内大輔(産総研)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(エコマザー)、村上克也(日本ガスケミ)、E. Simoen、C. Claeys (imec),
    "Investigation of the Si doping effect in β-Ga2O3 films by co-sputtering of gallium oxide and Si",
    26th Incternational Conference on Defects in Semiconductors (ICDS26), Nelson, New Zealand,(Jul.17-22, 2011).(ポスター発表),2011年 (平成23年) 6月
  30. 中島敏之(中央電子工業)、出本竜也、角田功、高倉健一郎、米岡将士、大山英典、吉野賢二(宮崎大学)、M.B.Gonzalez、E. Simoen、C. Claeys (imec),
    "Gate-Length Dependent Strain Relaxation in Electron-Irradiated SiGe S/D P-MOSFETs",
    The Fifth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC5), Yokohama, Japan(Jun.22-24,2011). (ポスター発表),2011年 (平成23年) 6月
  31. 中島敏之(中央電子工業)、出本竜也、角田功、高倉健一郎、米岡将士、大山英典(熊本高専)、吉野賢二(宮崎大学)、M.B. Gonzalez、 E. Simoen、C. Claeys (imec),
    "Radiation damage of Si1-xGex S/D p-MOSFETs with different Ge concentration",
    7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7), Leuven, Belgium, (May.22-26, 2011). (ポスター発表) ,2011年 (平成23年) 8月
  32. 長岡裕一、出本竜也(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、米岡将士、角田功、高倉健一郎、大山英典(熊本高専)、M.B. Gonzalez、E. Simoen、C. Claeys (imec),
    "Electron irradiation effects of Si1-xGex (031th Electronic Materials Symposium (EMS-31), Extended abstracts of 31th Electronic Materials Symposium, pp. 203-204, Shiga (Japan).(ポスター発表),2011年 (平成23年) 6月
  33. 工藤淳、高倉健一郎、船崎優、高原基、角田功、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(日本ガスケミ)、村上克也(エコマザー)、E.Simoen、C.Claeys(imec),
    "XRD investigation of the crysltalline quality of Sn Doped β-Ga2O3 films deposited by the RF magnetron sputtering method",
    14th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-14), p.37, Miyazaki, Japan (Sep.25-29, 2011).(ポスター発表),2011年 (平成23年) 9月
  34. 高原基、高倉健一郎、船崎優、工藤淳、角田功、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(日本ガスケミ)、村上克也(エコマザー)、E.Simoen、C.Claeys(imec),
    "XPS Analysis of Si Doped Gallium Oxide Films",
    14th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-14), p.38, Miyazaki, Japan (Sep.25-29, 2011).(ポスター発表),2011年 (平成23年) 9月
  35. 田中龍之、塚本真幹、角田功、米岡将士、高倉健一郎、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(日本ガスケミ)、E.Simoen、C.Claeys(imec),
    "Electrical Properties of 2-MeV Electron Irradiated p+n Ge Diodes",
    14th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-14), p.40, Miyazaki, Japan (Sep.25-29, 2011).(ポスター発表),2011年 (平成23年) 9月
  36. 中島敏之(中央電子工業)、出本竜也、角田功、高倉健一郎、米岡将士、大山英典(熊本高専)、吉野賢二(宮崎大学)、E. Simoen、C. Claeys (imec),
    "Gate-length dependent radiation damage in 2-MeV electron-irradiated Si1-xGex S/D p-MOSFETs",
    14th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-14), p.50, Miyazaki, Japan (Sep.25-29, 2011).(口頭発表),2011年 (平成23年) 9月
  37. 中島敏之(中央電子工業)、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、M.B.Gonzalez (IMB-CNM), E. Simoen、C. Claeys (imec)、吉野賢二(宮崎大学),
    "Ge content dependence on radiation damage in Si1-xGex S/D p-MOSFETs",
    14th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-14), p.50, Miyazaki, Japan (Sep.25-29, 2011).(口頭発表),2011年 (平成23年) 8月
  38. 角田功(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、中庸行(堀場製作所)、出本竜也、米岡将士、高倉健一郎(熊本高専)、吉野賢二(宮崎大学)、M.B.Gonzalez、E. Simoen 、C. Claeys(imec)、大山英典(熊本高専),
    "Local compressive stress generation in electron irradiated boron-doped Si0.75Ge0.25 / Si devices",
    E-MRS 2012 Spring Meeting, Strasbourg (France). (ポスター発表),平成24年5月
  39. 高倉健一郎、船崎優、高原基、工藤淳、角田功、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(エコマザー)、村上克也(日本ガスケミ)、E. Simoen、C. Claeys(imec),
    "Investigation of crystalline qualities of silicon and tin doped beta-Ga2O3 film ",
    E-MRS 2012 Spring Meeting, Strasbourg (France). (ポスター発表),平成24年5月
  40. 渡邊良、長岡裕一(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、M.B. Gonzalez, E. Simoen, C. Claeys(imec),
    "Electron irradiation degradation of gate length modulated strained-Si pMOSFETs",
    31th Electronic Materials Symposium (EMS-31), Extended abstracts of 31th Electronic Materials Symposium, pp. 153-154, Izu (Japan).(ポスター発表),2012年 (平成24年) 7月
  41. 中島敏之(中央電子工業)、角田功、高倉健一郎米岡将士、大山英典(熊本高専)、中康行(堀場製作所)、吉野賢二(宮崎大学)、E. Simoen, C. Claeys(imec),
    "Stress evaluation by Raman Spectroscopy in 2MeV electron irradiated SiGe/Si diodes",
    31th Electronic Materials Symposium (EMS-31), Extended abstracts of 31th Electronic Materials Symposium, pp. 155-156, Izu (Japan).(ポスター発表),2012年 (平成24年) 7月
  42. 崎山晋、津曲大樹、森内岬希、高倉健一郎、角田功、米岡将士、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業),
    "2 MeV Electron irradiation damage of commercial JFET",
    31th Electronic Materials Symposium (EMS-31), Extended abstracts of 31th Electronic Materials Symposium, pp. 157-158, Izu (Japan).(ポスター発表),2012年 (平成24年) 7月
  43. 森内岬希、高倉健一郎、角田功、大山英典(熊本高専),
    "Electron-irradiation damgae of commercial Monolithic Ceramic Capacitors",
    31th Electronic Materials Symposium (EMS-31), Extended abstracts of 31th Electronic Materials Symposium, pp.159-160, Izu (Japan).(ポスター発表),2012年 (平成24年) 7月
  44. 杉山睦、廣瀬維子、藁澤萌(東京理科大)、角田功、高倉健一郎(熊本高専),
    "Degradation effects of proton and electron irradiation for Cu(In,Ga)Se2 solar cells",
    18th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, Salzburug, Austria.(ポスター発表),平成24年8月
  45. 中島敏之(中央電子工業)、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、M. Bargallo Gonzalez、E. Simoen、C. Claeys(imec)、吉野賢二(宮崎大学),
    "Ge content dependence of radiation damage in Si1-xGex S/D p-MOSFETs",
    18th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, Salzburug, Austria.(ポスター発表),平成24年8月
  46. 合田稜平、石橋和也、工藤淳、高原基、角田功、高倉健一郎、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(エコマザー)、村上克也(日本ガス検見),
    "Effect of high temperature annealing on the surface structure of b-Ga2O3",
    International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2012 (IUMRS-ICEM 2012), Yokohama, Japan (Sep.23-28, 2012).(ポスター発表),2012年 (平成24年) 9月
  47. 杉山睦、L.J. Sharon、坂倉、広瀬維子(東京理科大学)、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、板垣(東京理科大学),
    "Clarification of proton- and electron-irradiated degradation mechanism of Cu(In, Ga)Se2 solar cells using impedance spectroscopy",
    2012 MRS Fall Meeting & Exhibit, November 25-30, 2012, Boston.,2012年 (平成24年) 11月
  48. 杉山睦、L.J. Sharon、坂倉、広瀬維子(東京理科大学)、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、板垣(東京理科大学),
    "Clarification of proton- and electron-irradiated degradation mechanism of Cu(In, Ga)Se2 solar cells using impedance spectroscopy",
    2012 MRS Fall Meeting & Exhibit, November 25-30, 2012, Boston.,平成24年11月
  49. 中島敏之(中央電子工業)、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、M.B. Gonzalez, E. Simoen, C. Claeys, (imec),吉野賢二(宮崎大学),
    "Recovery Behavior Resulting from Thermal Annealing in Si0.7Ge0.3 Source/Drain p-type MOSFETs Irradiated by 2 MeV Electrons",
    The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), May 19-23, 2013, Kobe.,平成25年5月
  50. 石橋和也、合田稜平、高原基、工藤淳、皆見憲輔、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(エコマザー)、村上克也(日本ガスケミ),
    "Investigation of the crystalline quality of a gallium oxide thick film grown by RF magnetron sputtering",
    The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), May 19-23, 2013, Kobe.,平成25年5月
  51. 崎山晋、金子貴博、大坪考総、酒井崇嗣、中嶋一敬、茂籐健太、米岡将士、高倉健一郎、角田功(熊本高専),
    "Enhanced Au induced lateral crystallization in electron-irradiated amorphous Ge on SiO2 ",
    8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8), June 2-5, 2013, Fukuoka.,平成25年6月
  52. 中島敏之(中央電子工業)、浅井勇輝、堀眞聡、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、M.B. Gonzalez, E. Simoen, C. Claeys, 吉野賢二(宮崎大学),
    "Radiation tolerance of Si1-yCy Source/Drain n-type metal oxide semiconductor field effect transistor with different carbon concentrations",
    8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8), June 2-5, 2013, Fukuoka.,平成25年6月
  53. 堀眞聡、浅井勇輝、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、E. Simoen, C. Claeys (imec),
    "Evaluation of degradation due to electron irradiation of Si1-XCX S/D n-type Si MOSFET",
    32nd Electronic Materials Symposium (EMS32), July 10-12, 2013, Siga.,平成25年7月
  54. 茂籐健太、崎山晋、金子貴博、大坪考総、酒井崇嗣、中嶋一敬、米岡将士、高倉健一郎、角田功(熊本高専),
    "Electron irradiation effect of Au induced lateral crystallization for amorphous Ge on SiO2",
    32nd Electronic Materials Symposium (EMS32), July 10-12, 2013, Siga.,平成25年7月
  55. 合田稜平、皆見憲輔、石橋和也、工藤淳、高原基、角田功、高倉健一郎(熊本高専),
    "Investigation of relationships between physical optoelectrical property properties and void grains in RF magnetron sputtered b-Ga2O3 thin films",
    27th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 27), July21-26, 2013, Italy.,平成25年7月
  56. 中島敏之(中央電子工業)、浅井勇輝、堀眞聡、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、M.B. Gonzalez, E. Simoen, C. Claeys, 吉野賢二(宮崎大学),
    "Evaluation of strain relaxation in strain Si / relaxed Si0.7Ge0.3 heterostructure film by electron irradiation using Raman spectroscopy.",
    27th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 27), July21-26, 2013, Italy.,平成25年7月
  57. 堀眞聡、浅井勇輝、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、E. Simoen, C. Claeys (imec),
    "Evaluation of degradation due to electron irradiation of Si1-xCx S/D n-type Si MOSFET",
    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2013), Sept. 29-Oct.4, 2013, Miyazaki.,平成25年10月
  58. T. Goto(本科5年), , H. Ishimoto(本科5年), , M. Izawa(本科5年), , T. Nakashima(中央電子工業), , M. Yoneoka, , I. Tsunoda, , K. Takakura, , M.B. , Gonzalez(IMB-CNM), , E. Simoen(IMEC), , C. Claeys(IMEC),
    "Evaluation of the mobility degradation by electron irradiation of Si1-xGex S/D p-MOSFETs at higher Ge concentration",
    33th Electronic Materials Symposium (EMS-33), Extended abstracts of 33th Electronic Materials Symposium, pp.25-29, Izu (Japan).(ポスター発表),平成26年7月
  59. H. Ishimoto(本科5年), , K. Ishibashi(専攻科卒), , R. Aida(専攻科卒), , I. Tsunoda, , K. Takakura, , K. Murakami(日本ガスケミ),
    "Evaluation of crystal structure and optical properties of β-Ga2O3 as-deposited and after annealed.",
    33th Electronic Materials Symposium (EMS-33), Extended abstracts of 33th Electronic Materials Symposium, pp.41-44, Izu (Japan).(ポスター発表),平成26年7月
  60. M. Izawa(本科5年), , H. Ishimoto(本科5年), , T. Goto(本科5年), , R. Aida(専攻科卒), , K. Ishibashi(専攻科卒), , I. Tsunoda, , K. Takakura, , K. Murakami(日本ガスケミ),
    "Investigation of relationships between film thickness and optical absorption coefficient of β-Ga2O3 film",
    33th Electronic Materials Symposium (EMS-33), Extended abstracts of 33th Electronic Materials Symposium, pp.45-46, Izu (Japan).(ポスター発表),平成26年7月
  61. K. Nakashima(専攻科), , T. Sakai(専攻科), , K. Moto(専攻科), , K. Takakura, , I. Tsunoda,
    "Effect of surface roughness for Au induced lateral crystal growth in amorphous Ge",
    33th Electronic Materials Symposium (EMS-33), Extended abstracts of 33th Electronic Materials Symposium, pp.99-100, Izu (Japan).(ポスター発表),平成26年7月
  62. H. Okamoto(専攻科), , K. Moto(専攻科), , S. Sakiyama(専攻科), , T. Sakai(専攻科), , K. Nakashima(専攻科), , M. Yoneoka, , K. Takakura, , I. Tsunoda,
    "Influence of electron beam irradiation for Au induced lateral crystallization in a-Ge on SiO2",
    33th Electronic Materials Symposium (EMS-33), Extended abstracts of 33th Electronic Materials Symposium, pp.101-102, Izu (Japan).(ポスター発表),平成26年7月

国内学会等発表

  1. 草野 欽太(専攻科), 工藤 一樹(専攻科), 坂井 拓也(情報通信エレクトロニクス工学科) 本山 慎一(サムコ株式会社), 楠田 豊(サムコ株式会社 ), 古田 真浩(サムコ株式会社), 中 庸行(株式会社堀場製作所), 沼田 朋子(株式会社堀場製作所), 高倉 健一郎, 角田 功,
    "非晶質SixGe1-x/SiO2のAu誘起成長に及ぼす圧縮応力の影響",
    第63回応用物理学会春季学術講演会,平成28年3月
  2. 坂井 拓也(情報通信エレクトロニクス工学科) 草野 欽太(専攻科), 本山 慎一(サムコ株式会社), 楠田 豊(サムコ株式会社 ), 古田 真浩(サムコ株式会社), 中 庸行(株式会社堀場製作所), 沼田 朋子(株式会社堀場製作所), 高倉 健一郎, 角田 功,
    "SiO2/Au/a-Ge/SiO2積層構造の固相結晶化に及ぼす熱処理温度の影響",
    平成27年度電気学会九州支部高専研究講演会,平成28年2月
  3. 壽本 康平(情報通信エレクトロニクス工学科), 餅井 亮介(専攻科), 高倉 健一郎 松田 豊稔 角田 功,
    "a-Ge / Au / SiO2積層構造の低温固相結晶化に及ぼすGe / Au膜厚比の影響",
    平成27年度電気学会九州支部高専研究講演会,平成28年2月
  4. 塘内功大(専攻科), 村上英司郎(専攻科卒), 高倉 健一郎, 角田 功,
    "非晶質Ge 薄膜の固相成長に及ぼす電子線照射による影響",
    平成29年度応用物理学会九州支部学術講演会,平成27年12月
  5. 野満建至(専攻科), 工藤康平(専攻科), 餅井亮介(専攻科), 岡本隼人(専攻科卒), 高倉 健一郎, 角田 功,
    "Au 誘起成長法による(111)高配向Ge 薄膜の低温形成",
    平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会,平成27年12月
  6. 坂口 大成(専攻科), 高倉 健一郎, 角田 功,
    "絶縁膜上における非晶質Ge 細線へのAu 誘起成長",
    平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会,平成27年12月
  7. 松崎光成(専攻科), 井芹健人(情報通信エレクトロニクス工学科), 米岡将士, 高倉 健一郎, 角田 功, E. Simoen(imec), C. Claeys(imec),
    "Thermal Recovery of radiation damaged Si:C S/D n-MOSFETs",
    第7回半導体材料デバイスフォーラム,平成27年11月
  8. 石本浩起(専攻科), 高倉健一郎, 角田功, 緒方洋(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "Crystalline quality evaluation of b-Ga2O3/Al2O3 grown by thermal annealing",
    第7回半導体材料デバイスフォーラム,平成27年11月
  9. 岡本 健人(専攻科), 坂口 大成(専攻科), 堀 眞聡(専攻科卒), 茂藤 健太(専攻科卒), 米岡将士, 高倉 健一郎, 角田 功,
    "電子線照射a-Ge/SiO2のAu誘起成長(3) ",
    第7回半導体材料デバイスフォーラム,平成27年11月
  10. 草野 欽太(専攻科), 工藤 和樹(専攻科), 酒井 崇嗣(専攻科卒), 本山 慎一(サムコ株式会社), 楠田 豊(サムコ株式会社 ), 古田 真浩(サムコ株式会社), 中 庸行(株式会社堀場製作所), 沼田 朋子(株式会社堀場製作所), 高倉 健一郎, 角田 功,
    "TEOS内部応力を利用した非晶質Ge薄膜のAu誘起成長(2) ",
    第7回半導体材料デバイスフォーラム,平成27年11月
  11. 餅井 亮介(専攻科), 工藤 康平(専攻科), 野満 建至(専攻科), 岡本 隼人(専攻科卒), 高倉 健一郎, 角田 功,
    "高配向(111)Ge結晶の200℃以下形成 ",
    第7回半導体材料デバイスフォーラム,平成27年11月
  12. 工藤 康平(専攻科), 野満 建至(専攻科), 餅井 亮介(専攻科), 岡本 隼人(専攻科卒)), 高倉 健一郎), 角田 功,
    "非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす熱処理温度の影響(2)-Au膜厚依存性-",
    第76回応用物理学会秋季学術講演会,平成27年9月
  13. 野満 建至(専攻科), 岡本 隼人(専攻科卒)), 工藤 康平(専攻科), 坂口 大成(専攻科), 高倉 健一郎, 角田 功,
    "面方位制御した結晶Ge薄膜の極低温誘起成長 ",
    電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ シリコン材料・デバイス(SDM)研究会,平成27年4月
  14. 工藤 和樹(専攻科), 草野 欽太(専攻科), 酒井 崇嗣(専攻科卒), 本山 慎一(サムコ株式会社), 楠田 豊(サムコ株式会社 ), 古田 真浩(サムコ株式会社), 中 庸行(株式会社堀場製作所), 沼田 朋子(株式会社堀場製作所), 高倉 健一郎, 角田 功,
    "非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼすTEOS-SiO2キャップ層の影響 ",
    電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ シリコン材料・デバイス(SDM)研究会,平成27年4月
  15. 長岡裕一、出本竜也(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、米田将士、角田功、高倉健一郎、大山英典(熊本高専)、M.B.Gonzalez、E.Simoen、C.Claeys(imec),
    "SiGe S/D p-MOSFETsに及ぼす電子線照射の影響(1):Ge濃度依存性",
    2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会,2011年 (平成23年) 8月、9月
  16. 金子貴博(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、出本竜也、角田功、高倉健一郎、米岡将士、大山英典(熊本高専)、吉野賢二(宮崎大学)、M.B.Gonzalez、E Simoen、C. Claeys(imec) ,
    "SiGe S/D p-MOSFETに及ぼす電子線照射の影響(2):ゲート長依存性",
    2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会,2011年 (平成23年) 8月、9月
  17. 平山純也、東 孝洋、米岡将士、高倉健一郎、角田功、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、J.Vanhellemont(Ghent University)、J.M.Rafi(CNM),
    "Geを微量ドープしたSiダイオードに及ぼす電子線照射の影響 ",
    2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会,2011年 (平成23年) 8月、9月
  18. 工藤淳、高倉健一郎、船崎優、高原基、角田功、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業) ,
    "Snを添加したβ-Ga2O3のXRDによる結晶性評価 ",
    2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会,2011年 (平成23年) 8月、9月
  19. 廣瀬維子、藁澤萌(東京理科大学)、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、木村真一(東京理科大学)、大山英典(熊本高専)、杉山睦(東京理科大学) ,
    "陽子線照射によるCIGS 太陽電池への影響",
    2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会,2011年 (平成23年) 8月、9月
  20. 高原基、船崎優、工藤淳、角田功、高倉健一郎、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、村上克也(日本ガスケミ)、渋谷睦夫(エコマザー),
    "Si添加したβ-Ga2O3の高温アニール処理による結晶性評価",
    平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会,2011年 (平成23年) 11月
  21. 田中龍之、塚本真幹、角田功、米岡将士、高倉健一郎、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業),
    "電子線照射したGeダイオードの電気的特性の劣化挙動",
    平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会,2011年 (平成23年) 11月
  22. 杉山睦、廣瀬維子、松本靖弘、藁澤萌(東京理科大学)、角田功、高倉健一郎、大山英典(熊本高専),
    "CIGS太陽電池の劣化機構の解明",
    第3回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.2-5,2011年 (平成23年) 12月
  23. 中島敏之(中央電子工業)、出本竜也、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、E.Simoen、C.Claeys(imec)、吉野賢二(宮崎大学),
    "移動体通信における半導体デバイスの役割と今後の開発",
    第3回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.22-25,2011年 (平成23年) 12月
  24. 廣瀬維子、藁澤萌(東京理科大学)、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、木村真一(東京理科大学)、大山英典(熊本高専)、杉山睦(東京理科大学) ,
    "陽子線照射によるCIGS 太陽電池への影響",
    第3回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.26-27,2011年 (平成23年) 12月
  25. 船崎優、工藤淳、高原基、高倉健一郎、角田功、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(エコマザー)、村上克也(日本ガスケミ),
    "高温熱処理によるGa2O3薄膜の相転移",
    第3回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.46-47,2011年 (平成23年) 12月
  26. 田中龍之、塚本真幹、角田功、米岡将士、高倉健一郎、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、E.Simoen、C.Claeys(imec),
    "Geダイオードの耐放射線特性に関する評価",
    第3回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.48-49,2011年 (平成23年) 12月
  27. 出本竜也、長岡裕一(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、角田功、高倉健一郎、米岡将士、大山英典(熊本高専)、M.B.Gonzalez、E.Simoen、C.Claeys(imec),
    "電子線照射Si1-xGex S/D p-MOSFETsのGe濃度依存性",
    第3回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.73-74,2011年 (平成23年) 12月
  28. 塚本真幹、田中龍之、角田功、米岡将士、高倉健一郎、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、E.Simoen、C.Claeys(imec),
    "電子線照射Ge p-MOSFETのゲート長依存性",
    第3回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.75-76,2011年 (平成23年) 12月
  29. 津曲大喜、角田功、米岡将士、高倉健一郎、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、中林正和(ルネサスエレクトロニクス),
    "IGBTに与える電子線照射の影響",
    第3回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.77-78,2011年 (平成23年) 12月
  30. 浅井勇輝(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、角田功、高倉健一郎、米岡将士、大山英典(熊本高専)、M.B.Gonzalez、E.Simoen、C.Claeys(imec),
    "SiダイオードのC添加による電子線特性の電気的評価",
    第3回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.79-80,2011年 (平成23年) 12月
  31. 工藤淳、船崎優、高原基、角田功、高倉健一郎、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(エコマザー)、村上克也(日本ガスケミ),
    "スパッタリング法によるβ-Ga2O3薄膜へのSnドープ効果",
    第3回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.81-82,2011年 (平成23年) 12月
  32. 高原基、船崎優、工藤淳、高倉健一郎、角田功、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、村上克也(日本ガスケミ)、渋谷睦夫(エコマザー),
    "Si添加β-Ga2O3薄膜の結晶性評価",
    第3回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.83-84,2011年 (平成23年) 12月
  33. 長岡裕一、出本竜也(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、米岡将士、角田功、高倉健一郎、大山英典(熊本高専)、M.B.Gonzalez、E.Simoen、C.Claeys(imec),
    "ゲート長の異なるSi1-xGex S/D p-MOSFETの電子線照射損傷",
    第3回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.85-86,2011年 (平成23年) 12月
  34. 平山純也、東孝洋、米岡将士、高倉健一郎、角田功、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、J. Vanhellemont(ゲント大学)、J. M. Rafi (CNM),
    "Si1-xGex(0≦x≦0.01)ダイオードの電子線耐性評価",
    第3回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.87-88,2011年 (平成23年) 12月
  35. 金子貴博、高倉健一郎、角田功(熊本高専),
    "Auを用いた非晶質Ge薄膜の低温結晶成長に関する研究",
    第3回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.89-90,2011年 (平成23年) 12月
  36. 崎山晋、津曲大喜、出本竜也、高倉健一郎、角田功、米岡将士、大山英典(熊本高専),
    "商用JFETの電子線損傷",
    平成23年度第26回熊本県産学官技術交流会,2012年 (平成24年) 1月
  37. 森内岬希、津曲大喜、崎山晋、高倉健一郎、角田功、大山英典(熊本高専)、中林正和(ルネサスエレクトロニクス),
    "IGBTの電子線照射損傷",
    平成23年度第26回熊本県産学官技術交流会,2012年 (平成24年) 1月
  38. 合田稜平、工藤淳、高原基、船崎優、高倉健一郎、角田功、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(エコマザー)、村上克也(日本ガスケミ),
    "Si添加したβ-Ga2O3の高温アニール処理による結晶性評価",
    平成23年度第26回熊本県産学官技術交流会,2012年 (平成24年) 1月
  39. 渡邊良、長岡裕一、出本竜也、角田功、高倉健一郎、米岡将士、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、M.B.Gonzalez(IMB-CNM)、E.Simoen、C.Claeys(imec),
    "Ge濃度を変調したSi1-xGex S/D p-MOSFETsに及ぼす電子線照射の影響",
    平成23年度第26回熊本県産学官技術交流会,2012年 (平成24年) 1月
  40. 石橋和也、合田稜平、岩瀬史樹、工藤淳、高原基、船崎優、高倉健一郎、角田功、大山英典(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(エコマザー)、村上克也(日本ガスケミ),
    "β-Ga2O3薄膜へのSnドーピング効果",
    平成23年度第26回熊本県産学官技術交流会,2012年 (平成24年) 1月
  41. 金子貴博、高倉健一郎、角田功、松田豊稔(熊本高専),
    "非晶質Ge薄膜のAu誘起結晶成長",
    電気学会九州支部平成23年度(第2回)高専卒業研究発表会講演論文集、pp.35-36,2012年 (平成24年) 3月
  42. 永冨雄太、高倉健一郎、角田功、松田豊稔(熊本高専),
    "電子線照射InGaN LEDの電気的特性に関する調査",
    電気学会九州支部平成23年度(第2回)高専卒業研究発表会講演論文集、pp.37-38,2012年 (平成24年) 3月
  43. 中島敏之(中央電子工業)、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、中康行(堀場製作所)、E.Simoen、C.Claeys(imec)、吉野賢二(宮崎大学),
    "2MeVの電子線を照射したSi0.75Ge0.25/Siダイオードの歪量評価",
    2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, p.13-012,2012年 (平成24年) 9月
  44. 崎山晋、津曲大喜、森内岬希(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、高倉健一郎、角田功,
    "商用JFETの電子線損傷",
    2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, p.13-021,2012年 (平成24年) 9月
  45. 浅井勇輝(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専),E.Simoen、C.Claeys(imec),
    "Cを少量添加したSi MOSFETに与える電子線照射の影響",
    2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会,p13-022,2012年 (平成24年) 9月
  46. 石橋和也、合田稜平、岩瀬史樹、工藤淳、高原基、船崎優(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(エコマザー)、村上克也(日本ガスケミ)、角田功、高倉健一郎(熊本高専),
    "高温熱処理によるGa2O3結晶性向上",
    2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, p.14-036,2012年 (平成24年) 9月
  47. 森内岬希、角田功、高倉健一郎(熊本高専),
    "民生用積層セラミクスコンデンサの電子線照射損傷",
    2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, p.09-007,2012年 (平成24年) 9月
  48. 合田稜平、石橋和也、工藤淳、高原基、角田功、髙倉健一郎(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(エコマザー)、村上克也(日本ガスケミ),
    "高温熱処理がGa2O3薄膜に及ぼす影響",
    第4回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.63-64,平成24年11月
  49. 長岡裕一、渡邊良、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、M. B. Gonzalez、E. Simoen、C. Claeys(imec),
    "電子線照射したSi1-xGex S/D pMOSFETのGe濃度依存性評価",
    第4回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.65-66,平成24年11月
  50. 石橋和也、合田稜平、工藤淳、 高原基、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(エコマザー)、村上克也(日本ガスケミ),
    "スパッタ法により成膜したGa2O3薄膜の結晶性評価",
    第4回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.113-114,平成24年11月
  51. 渡邊良、長岡裕一(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、中庸行(堀場製作所)、E. Simoen、C. Claeys(imec)、吉野賢二(宮崎大学),
    "電子線照射SiGe/SiダイオードのRaman分光による歪み量評価",
    第4回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.115-116,平成24年11月
  52. 浅井勇輝(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、E. Simoen、C. Claeys(imec),
    "Si1-XCX S/D n-MOSFETに与える電子線照射効果",
    第4回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.117-118,平成24年11月
  53. 崎山晋(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専),
    "電子線照射した商用JFETの電流変動解析",
    第4回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.119-120,平成24年11月
  54. 金子貴博、松下翔平、大坪孝総、高倉健一郎、角田功(熊本高専),
    "MIC法を用いた非晶質Ge薄膜の低温結晶成長",
    第4回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.121-122,平成24年11月
  55. 高原基、工藤淳、合田稜平、石橋和也、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、小嶋稔(宮崎大学)、中島敏之(中央電子工業)、吉野賢二(宮崎大学)、村上克也(エコマザー)、渋谷睦夫(日本ガスケミ),
    "b-Ga2O3薄膜のバンド構造解析と光学特性",
    第4回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.123-124,平成24年11月
  56. 田中龍之、塚本真幹、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、E. Simoen、C. Claeys(imec),
    "周囲長の異なるGeダイオードの耐放射線特性に関する評価",
    第4回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.125-126,平成24年11月
  57. 井上友貴、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、E. Simoen、C. Claeys(imec),
    "Cを添加したSiGe/Siヘテロ接合ダイオードの電子線耐性評価",
    第4回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.127-128,平成24年11月
  58. 森内岬希、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専),
    "電子線照射した民生用積層セラミックコンデンサの特性変化",
    第4回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.129-130,平成24年11月
  59. 平山純也、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、Jan Vanhellemont(ゲント大学)、, Joan Marc Rafi(INB-CNM),
    "微量のGe添加がSiダイオードの放射線耐性に与える影響―照射導入欠陥のGe濃度依存性―",
    第4回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.131-132,平成24年11月
  60. 工藤淳、高原基、合田稜平、石橋和也、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(エコマザー)、村上克也(日本ガスケミ),
    "基板加熱スパッタにより作製したGa2O3薄膜の評価",
    第4回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、pp.133-134,平成24年11月
  61. 渡邊良、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、M. Gonzalez (IMB-CNM), E. Simoen, C. Claeys (imec),
    "Ge濃度の異なるSi1-xGex S/D pMOSFETに及ぼす電子線照射の影響",
    平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会、p. 74,2012年 (平成24年) 12月
  62. 石橋和也、合田稜平、工藤淳、高原基、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(エコマザー)、村上克也(日本ガスケミ),
    "高温熱処理によるGa2O3結晶性向上",
    平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会、p. 51,2012年 (平成24年) 12月
  63. 中嶋一敬、金子貴博、大坪孝総、茂藤健太、酒井崇嗣、高倉健一郎、角田功(熊本高専),
    "非晶質Ge薄膜のAu誘起結晶成長に及ぼす下地基板の影響 ",
    第27回熊本県産学官技術交流会,平成25年1月
  64. 村上英司郎、平山純也、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、Jan Vanhellemont(ゲント大学)、Joan Marc Rafi(INB-CNM),
    "Ge無添加Si及びGe微量添加Siダイオードの耐放射線性の違い ",
    第27回熊本県産学官技術交流会,平成25年1月
  65. 酒井崇嗣、長岡裕一、渡邊良、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、M. B. Gonzalez、E. Simoen、C. Claeys(imec),
    "ローカルひずみを印加したpMOSFETの電子線耐性評価 ",
    第27回熊本県産学官技術交流会,平成25年1月
  66. 堀眞聡、浅井勇輝、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、E. Simoen、C. Claeys(imec),
    "電子線照射前後のSi1-XCX S/D n-MOSFETの特性評価 ",
    第27回熊本県産学官技術交流会,平成25年1月
  67. 皆見憲亮、工藤淳、高原基、合田稜平、石橋和也、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、渋谷睦夫(エコマザー)、村上克也(日本ガスケミ),
    "基板温度変化がGa2O3の結晶性に及ぼす影響 ",
    第27回熊本県産学官技術交流会,平成25年1月
  68. 茂藤健太、渡邊良、長岡裕一、米岡将士、角田功、高倉健一郎(熊本高専)、中島敏之(中央電子工業)、中庸行(堀場製作所)、E. Simoen、C. Claeys(imec)、吉野賢二(宮崎大学),
    "電子線照射Si0.75Ge0.25/Siヘテロ接合ダイオードの局所応力発生 ",
    第27回熊本県産学官技術交流会,平成25年1月
  69. 杉山睦、シャロン・ジャスピン、 廣瀬維子、 坂倉秀徳(東京理科大学)、 米岡将士、 角田功、 高倉健一郎(熊本高専)、 板垣昌幸(東京理科大学),
    "プロトン照射したCIGS太陽電池のインピーダンス特性",
    平成25年応用物理学会春季学術講演会,平成25年3月
  70. 村上 英司郎(熊本高専),中島 敏之(中央電子工業),米岡 将士,角田 功,高倉 健一郎(熊本高専),中 庸行(堀場製作所),末益 崇(筑波大学),
    "2 MeV電子線を照射したひずみSi/ひずみ緩和Si0.7Ge0.3/Si基板構造のラマン分光法によるひずみ量評価 ",
    2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会, ,平成25年9月
  71. 茂籐健太、崎山晋、酒井崇嗣、中島一敬高倉 健一郎、角田功(熊本高専),
    "電子線照射による非晶質Ge薄膜のAu誘起成長の促進 ",
    2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会, ,平成25年9月
  72. 酒井崇嗣,工藤康平,崎山晋,中嶋一敬,茂藤健太,高倉 健一郎,角田 功(熊本高専),
    "非晶質Ge / Al / SiO2の層交換成長に及ぼすAl薄膜焼き締めの効果",
    平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会,平成25年11月
  73. 中嶋一敬,酒井崇嗣,茂藤健太,高倉健一郎,角田功(熊本高専),
    "凹凸基板上における非晶質Ge薄膜のAu誘起固相成長",
    平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会,平成25年11月
  74. 茂藤健太、崎山晋、中嶋一敬、酒井崇嗣、高倉健一郎、角田功(熊本高専),
    "電子線照射a-Ge/SiO2のAu誘起成長",
    第5回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、O-13,平成25年11月
  75. 石橋和也,合田稜平,高原基,工藤淳,角田功,高倉健一郎(熊本高専),中島敏之(中央電子工業),村上克也(日本ガスケミ),
    "膜厚の変化がGa2O3薄膜の結晶性に及ぼす影響",
    第5回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、P-21,平成25年11月
  76. 合田稜平,石橋和也,工藤淳,高原基,角田功,高倉健一郎(熊本高専),中島敏之(中央電子工業),村上克也(日本ガスケミ),
    "成膜後熱処理がb-Ga2O3薄膜の構造及び光学的特性に及ぼす影響",
    第5回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、P-22,平成25年11月
  77. 森内岬希,米岡将士,角田功,高倉健一郎(熊本高専),
    "商用NANDゲートの電子線照射による影響",
    第5回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、P-23,平成25年11月
  78. 堀眞聡,米岡将士,角田功,高倉健一郎(熊本高専),中島敏之(中央電子工業),E. Simoen,C. Claeys(imec),
    "ゲート長の異なるSi1-xCx S/D n-MOSFETsに及ぼす電子線照射効果",
    第5回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、P-25,平成25年11月
  79. 酒井崇嗣,工藤康平,崎山晋,中嶋一敬,茂藤健太,高倉健一郎,角田功(熊本高専),
    "非晶質Ge / Al / SiO2の層交換成長に及ぼすAl層焼き締めの効果",
    第5回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、P-26,平成25年11月
  80. 村上英司郎,和田哲也,高倉健一郎,角田功(熊本高専),
    "多元同時スパッタによる作製した非晶質SiGe薄膜の熱的固相成長",
    第5回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、P-27,平成25年11月
  81. 中嶋一敬,酒井崇嗣,茂藤健太,高倉健一郎,角田功(熊本高専),
    "表面凹凸上におけるa-GeのAu誘起成長",
    第5回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、P-28,平成25年11月
  82. 米村翔威,石橋和也,合田稜平,角田功,高倉健一郎(熊本高専),
    "酸化膜上に作製したペンタセン薄膜の結晶性評価",
    第5回半導体材料・デバイスフォーラム予稿集、P-29,平成25年11月
  83. 工藤康平、酒井崇嗣、岡本隼人、高倉健一郎、松田豊稔、角田功(熊本高専),
    "非晶質Ge薄膜のAl誘起層交換成長に及ぼすプリアニールの影響",
    電気学会九州支部平成25年度(第4回)高専卒業発表会予稿集、pp.13-14,平成26年3月
  84. 塘内功大、崎山晋、茂藤健太、高倉健一郎、松田豊稔、角田功(熊本高専),
    "初期非晶質性を変調した非晶質Ge薄膜のAu誘起横方向成長",
    電気学会九州支部平成25年度(第4回)高専卒業発表会予稿集、pp.15-16,平成26年3月
  85. 茂藤健太(専攻科), , 崎山晋(専攻科卒), , 酒井崇嗣(専攻科), , 中嶋一敬(専攻科), , 岡本隼人(専攻科),, 高倉健一郎, , 角田 功 ,
    "非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす電子線照射の影響",
    信学技報, vol.114, no.1, SDM2014-5, pp.21-25.,平成26年4月
  86. 茂藤健太(専攻科), , 崎山晋(専攻科卒), , 岡本隼人(専攻科), , 酒井崇嗣(専攻科), , 中嶋一敬(専攻科), , 原英之(ブルカーバイオスピン), , 西村浩人(ブルカーバイオスピン), , 高倉健一郎, , 角田 功,
    "非晶質 Ge/SiO2の Au 誘起横方向成長に及ぼす電子線照射効果",
    第75回応用物理学会秋季学術講演会,平成26年9月
  87. 酒井崇嗣(専攻科), , 中嶋一敬(専攻科), , 茂藤健太(専攻科), , 本山慎一(サムコ), , 楠田豊(サムコ), , 古田真浩(サムコ), , 中 庸行(堀場製作所), , 沼田朋子(堀場製作所), , 高倉健一郎, , 角田 功,
    "非晶質 Ge/SiO2の Au 誘起横方向成長に及ぼす応力印加効果",
    第75回応用物理学会秋季学術講演会,平成26年9月
  88. 堀眞聡(専攻科), , 米岡将士, , 中島敏之(中央電子工業), , Eddy Simoen (IMEC), , Cor Claeys,(IMEC), , 角田 功, , 高倉健一郎 ,
    "電子線照射した Si0.99C0.01 S/D n-MOSFET に及ぼす熱処理の影響",
    第75回応用物理学会秋季学術講演会,平成26年9月
  89. 村上英司郎(専攻科), , 茂藤健太(専攻科), , 野満建至(専攻科), , 原 英之(ブルカーバイオスピン), , 西村浩人(ブルカーバイオスピン), , 高倉健一郎, , 角田 功,
    "ラマン分光による電子線照射非晶質 Ge 薄膜の固相成長過程の評価",
    第75回応用物理学会秋季学術講演会,平成26年9月
  90. 岡本隼人(専攻科), , 堀眞聡(専攻科), , 茂藤健太(専攻科), , 崎山晋(専攻科卒), , 塘内功大(専攻科), , 原 英之(ブルカーバイオスピン), , 西村浩人(ブルカーバイオスピン), , 高倉健一郎, , 角田 功,
    "初期非晶質性を変調した Ge 薄膜の Au 誘起成長",
    第75回応用物理学会秋季学術講演会,平成26年9月
  91. 茂藤健太(専攻科), , 岡本隼人(専攻科), , 崎山晋(専攻科卒), , , 原英之(ブルカーバイオスピン), , 西村浩人(ブルカーバイオスピン), , 高倉健一郎, , 角田 功,
    "絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の【電子線+金属触媒】誘起成長",
    平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会,平成26年12月
  92. 岡本隼人(専攻科),, 工藤康平(専攻科),, 高倉健一郎,, 角田功,
    "非晶質Ge薄膜のAu誘起低温成長による面方位制御",
    平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会,平成26年12月
  93. 酒井崇嗣(専攻科), , 草野欽太(情報通信エレクトロニクス工学科5年), , 岡本隼人(専攻科), , 本山慎一(サムコ), , 楠田豊(サムコ), , 古田真浩(サムコ), , 中 庸行(堀場製作所), , 沼田朋子(堀場製作所), , 高倉健一郎, , 角田 功,
    "応力印加成長法による非晶質Ge薄膜の極低温(~150℃)成長",
    平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会,平成26年12月
  94. 工藤和樹(専攻科),, 酒井崇嗣(専攻科), , 草野欽太(情報通信エレクトロニクス工学科5年), , 岡本隼人(専攻科), , 本山慎一(サムコ), , 楠田豊(サムコ), , 古田真浩(サムコ), , 中 庸行(堀場製作所), , 沼田朋子(堀場製作所), , 高倉健一郎, , 角田 功,
    "TEOS内部応力を利用した非晶質Ge薄膜のAu誘起成長",
    第6回半導体材料・デバイスフォーラム,平成26年12月
  95. 坂口大成(専攻科),, 工藤和樹(専攻科),, 茂藤健太(専攻科),, 岡本隼人(専攻科),, 高倉健一郎,, 角田功,
    "線幅を変調させたGe薄膜のAu誘起横方向成長",
    第6回半導体材料・デバイスフォーラム,平成26年12月
  96. 村上英司郎(専攻科), , 茂藤健太(専攻科), , 野満建至(専攻科), , 原英之(ブルカーバイオスピン), , 西村浩人(ブルカーバイオスピン), , 高倉健一郎, , 角田 功,
    "電子線照射非晶質Ge薄膜の熱的固相成長",
    第6回半導体材料・デバイスフォーラム,平成26年12月
  97. 野満建至(専攻科),, 茂藤健太(専攻科), , 岡本隼人(専攻科), , 坂口大成(専攻科), , , 原英之(ブルカーバイオスピン), , 西村浩人(ブルカーバイオスピン), , 高倉健一郎, , 角田 功,
    "電子線照射a-Ge/SiO2のAu誘起成長(2)-加速エネルギー依存性-",
    第6回半導体材料・デバイスフォーラム,平成26年12月
  98. 工藤康平(専攻科),, 岡本隼人(専攻科),, 野満建至(専攻科),, 高倉健一郎,, 角田功,
    "低温でAu誘起成長させた結晶Ge薄膜の評価",
    第6回半導体材料・デバイスフォーラム,平成26年12月
  99. 草野欽太(情報通信エレクトロニクス工学科5年), , 工藤和樹(専攻科),, 酒井崇嗣(専攻科),, 本山慎一(サムコ), , 楠田豊(サムコ), , 古田真浩(サムコ), , 中 庸行(堀場製作所), , 沼田朋子(堀場製作所), , 高倉健一郎, , 松田豊稔,, 角田 功,
    "ストレスMIC法による結晶Ge/絶縁基板の極低温形成",
    平成26年度電気学会九州支部高専研究講演会,平成27年3月
  100. 餅井亮介(情報通信エレクトロニクス工学科5年), , 岡本隼人(専攻科),, 高倉健一郎,, 松田豊稔,, 角田功,
    "非晶質Ge/Au/SiO2積層構造の低温固相成長",
    平成26年度電気学会九州支部高専研究講演会,平成27年3月
  101. 餅井亮介(情報通信エレクトロニクス工学科5年), , 村上英司郎(専攻科), , 原英之(ブルカーバイオスピン), , 西村浩人(ブルカーバイオスピン), , 高倉健一郎, , 松田豊稔,, 角田 功,
    "非晶質Ge/SiO2/Siの電子線照射固相成長",
    平成26年度電気学会九州支部高専研究講演会,平成27年3月
  102. 工藤康平(専攻科),, 野満建至(専攻科),, 岡本隼人(専攻科),, 高倉健一郎,, 角田功,
    "非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす熱処理温度の影響",
    第62回応用物理学会春季学術講演会,平成27年3月
  103. 工藤和樹(専攻科),, 酒井崇嗣(専攻科), , 草野欽太(情報通信エレクトロニクス工学科5年), , 本山慎一(サムコ), , 楠田豊(サムコ), , 古田真浩(サムコ), , 中 庸行(堀場製作所), , 沼田朋子(堀場製作所), , 高倉健一郎, , 角田 功,
    "圧縮応力を印加した非晶質Ge薄膜のAu誘起成長",
    第62回応用物理学会春季学術講演会,平成27年3月

解説・総説

  1. 岡本 隼人専攻科卒), 工藤 康平(専攻科), 野満 建至(専攻科), 高倉 健一郎, 角田 功,
    "Au induced low temperature formation of (111) preferential oriented crystalline Ge on insulator ",
    SSDM2015 Extended abstract pp.902-903,平成27年9月
  2. 茂藤 健太(専攻科卒), 崎山 晋(専攻科卒), 岡本 隼人(専攻科卒), 原 英之(ブルカーバイオスピン(株)), 西村 浩人(ブルカーバイオスピン(株)), 高倉 健一郎, 角田 功,
    "Enhancement of Au Induced Lateral Crystallization in Electron Irradiated Amorphous Ge on SiO2 ",
    SSDM2015 Extended abstract pp.904-905,平成27年9月
  3. 野満 建至(専攻科), 岡本 隼人(専攻科卒), 工藤 康平(専攻科), 坂口 大成(専攻科), 高倉 健一郎, 角田 功,
    "面方位制御した結晶Ge薄膜の極低温誘起成長 ",
    信学技報 Vol. 115, No.18, pp.45-48,平成27年4月
  4. 工藤 和樹(専攻科), 草野 欽太(専攻科), 酒井 崇嗣(専攻科卒), 本山 慎一(サムコ株式会社), 楠田 豊(サムコ株式会社 開発部), 古田 真浩(サムコ株式会社), 中 庸行(株式会社堀場製作所), 沼田 朋子(株式会社堀場製作所), 高倉 健一郎, 角田 功,
    "非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼすTEOS-SiO2キャップ層の影響 ",
    信学技報 Vol. 115, No.18, pp.41-44,平成27年4月

特許

  1. 角田功, , 高倉健一郎, , 本山慎一(サムコ), , 楠田豊(サムコ), , 古田真浩(サムコ),
    "ゲルマニウム層つき基板の製造方法及びゲルマニウム層付き基板",
    特願2014-144759,平成26年7月