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研究者情報(教員一覧)

著書

  1. 大山英典、中林正和、葉山清輝、江口 啓,
    "MOS集積回路の設計・製造と信頼性技術",
    森北出版,平成20年
  2. 葉山清輝,
    "作って学ぶCPU設計入門 - エミュレータでよくわかる!内部動作とAHDL設計・FPGA実装",
    森北出版,平成17年
  3. 大山英典、葉山清輝,
    "半導体デバイス工学",
    森北出版 ,平成15年

学術論文

  1. Kiyoteru Hayama and Hiroki Irie,
    "Trial production of vertical take-off and landing aircraft based on tricopter",
    Journal of Robotics and Mechatronics, Vol.28 No.3, June 20, 2016, pp.314-319.,平成28年6月
  2. Kiyoteru Hayama, Takaaki Ishibashi, Chiharu Okuma, Hiromu Gotanda,
    "Implementation of Directional Characteristics by Real-time Processing of Sounds Observed by Two Microphones",
    ICIC Express Lewtters, Vol. 10, No. 1, January 2016, pp.251-254.,平成28年1月
  3. Takaaki Ishibashi, Kohei Fujimori, Hirohito Shintani, Chiharu Okuma, Kiyoteru Hayama and Hiromu Gotanda,
    "Blind Source Separation without Scaling Indeterminacy Using Amplitude Ratio of Observed Signals",
    ICIC Express Lewtters, Vol. 10, No. 1, January 2016, pp.191-196.,平成28年1月
  4. Rion Yamada and Kiyoteru Hayama,
    "Development of Micromouse for Education Using mbed Platform",
    ICIC Express Lewtters, Vol. 9, No. 12, December 2015, pp.3251-3256.,平成27年12月
  5. K. Sawada, M. Ishida, K.Hayama and T.Nakamura,
    "Low-temperature heteroepitaxial growth of Si on sapphire by disilane gas-source molecular beam epitaxy",
    J. Crystal Growth Vol. 90, pp.587-590, (1989).,平成元年
  6. K. Hayama, H. Ohyama and J. Tokuyama,
    "Degradation of operational amplifiers by electron irradiation",
    Phys. Stat. Sol. a, Vol. 129, K143-K145 (1992).,平成4年
  7. K. Hayama, M. Ishida and T.Nakamura,
    "Effect of Oxygen Radicals for Epitaxial Growth of Al2O3 of Si",
    Jpn. J. Appl. Phys., Vol.33, pp.496-499, (1994). ,平成6年
  8. K. Hayama, M. Ishida and T.Nakamura,
    "Heteroepitaxial growth of Al2O3 film on Si by remote plasma-excited metalorganic molecular beam epitaxy",
    Control of Semiconductor Interfaces, (Elsevier Science Publishers B.V., Netherlands), pp.289-294, (1994).,平成6年
  9. M. Ishida, T. Yoshizu, K. Hayama and T.Nakamura,
    "Photo-excited effects and growth mechanism on epitaxially grown Al2O3(100) on Si(100)",
    Appl. Surf. Sci. Vol. 79/80, pp.356-360, (1994).,平成6年
  10. H. Ohyama and K. Hayama,
    "Decrease of Drain current in MOSFETs by electron irradiation",
    Phys. Stat. Sol. a, Vol. 142, K117-K119 (1994).,平成6年
  11. H. Ohyama, K. Hayama and J. Tokuyama,
    "Degradation model of the characteristics of electron-irradiated operational amplifiers",
    Phys. Stat. Sol. a, Vol. 143, K57-K59 (1994).,平成6年
  12. H. Ohyama, J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, H. Sunaga, J. Poortmans, M. Caymax and P. Clauws,
    "Germanium content dependence of radiation damage in strained Si1-xGex diodes",
    IEEE Trans. on Nucl. and Sci., Vol. 41, pp.2437-2442, (1994).,平成6年
  13. H. Ohyama and K. Hayama,
    "Degradation and Recovery in Electron-Irradiated MOSFETs and Operational Amplifiers",
    Phys. Stat. Sol. a, Vol.151, pp.489-499, (1995).,平成7年
  14. H. Ohyama, J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, H. Sunaga, J. Poortmans and M. Caymax,
    "Degradation of Si1-xGex epitaxial heterojunction bipolar transistors by 1-MeV fast neutrons",
    IEEE Trans. on Nucl. and Sci., Vol.42, pp.1550-1557, (1995).,平成7年
  15. H. Ohyama, J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, H. Sunaga, J. Poortmans and M. Caymax,
    "Irradiation induced lattice defects in Si1-xGex epitaxial devices",
    Materials Science Forum, Vol.196-201, pp.371-376, (1995).,平成7年
  16. H. Ohyama, J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, H. Sunaga, J. Poortmans, M. Caymax and P. Clauws,
    "Irradiation induced lattice defects in Si1-xGex devices and their effects on device performance",
    Journal of Materials Science and Technology, Vol. 11, pp.429-435, (1995).,平成7年
  17. H. Ohyama, J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, H. Sunaga, J. Poortmans and M. Caymax,
    "Influence of substrate on the degradation of irradiated Si diodes",
    Phys. Stat. Sol. a., Vol.151, pp.215-223, (1996) .,平成8年
  18. H. Ohyama, J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, H. Sunaga, J. Poortmans and M. Caymax,
    "Effect of radiation source on the degradation in irradiated Si1-xGex epitaxial devices",
    Phys. Stat. Sol. a.,Vol.155, pp.147-155, (1996).,平成8年
  19. H. Ohyama, J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, H. Sunaga, J. Tokuyama, T. Hakata, T. Kudou, H. Sunaga, I. Nashiyama, Y. Uwatoko, J. Poortmans and M. Caymax,
    "Proton Irradiation Effects on the Performance of Si1-xGex Devices",
    Phys. Stat. Sol. a., Vol. 158, pp.325, (1996).,平成8年
  20. H. Ohyama, J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, T. Kudou, S. Kohiki, H. Sunaga and T. Hakata,
    "Degradation of InGaAs pin photodiodes by neutron irradiation",
    Semicond. Sci. Technol., Vol. 11, pp.1461-1463, (1996).,平成8年
  21. H. Ohyama, K. Hayama, J. Vanhellemont, J. Poortmans, M. Caymax, Y. Takami, H. Sunaga, I. Nashiyama and Y. Uwatoko,
    "Degradation of Si1-xGex epitaxial devices by proton irradiation",
    Appl. Phys. Lett. 69(16), pp.2429-2431, (1996).,平成8年
  22. H. Ohyama, J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, T. Kudo, T. Hakata, S. Kohiki and H. Sunaga,
    "Degradation and Recovery of In0.53Ga0.47As Photodiodes By 1-MeV Fast Neutrons",
    IEEE Trans. on Nucl. Sci. 43(6) , pp.3019-3026, (1996).,平成8年
  23. H. Ohyama, J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, H. Sunaga, I. Nashiyama, Y. Uwatoko, J. Poortmans and M. Caymax,
    "Degradation and Recovery of Proton Irradiated Si1-xGex Epitaxial Devices",
    IEEE Trans. on Nucl. and Sci., Vol.43, No.6, pp.3089-3096, (1996).,平成8年
  24. K. Hayama, T. Togun and M. Ishida,
    "Heteroepitaxial Growth of Al film on Si by gas-source metalorganic molecular beam epitaxy using dimethylethylamine-alane",
    J. Crystal Growth, Vol. 179, pp.438-443, (1997).,平成9年
  25. K.Hayama, T. Togun and M. Ishida,
    "Heteroepitaxial Growth of Al2O3 film on Si using dimethylethylamine-alane and O2",
    J. Crystal Growth, Vol. 179, pp.433-437, (1997).,平成9年
  26. K. Hayama, H. Ohyama, T. Okuhara and M. Ishida,
    "Effect of plasma oxidized Al prelayer for the epitaxial growth Al2O3 films on Si using magnetron sputtering",
    Appl. Surf. Sci., Vol. 117/118, pp.503-506, (1997).,平成9年
  27. 葉山清輝,工藤友裕,博多哲也,徳山順也,大山英典,,
    "スパッタ法を用いた効率的半導体デバイス実験の実現",
    論文集「高専教育」,第21号,pp.137-142,(1998).,平成10年
  28. H. Ohyama, K. Hayama, E. Simoen, C. Claeys, J. Vanhellemont, J. Poortmants, M. Caymax, Y. Takami and H. Sunaga,
    "Radiation damage in Si1-xGex heteroepitaxial devices",
    J. Radioanal. Nucl. Chem., 239, pp. 351-355 (1999).,平成11年
  29. H. Ohyama, E. Simoen, C. Claeys, Y. Takami, K. Hayama, T. Hakata and H. Sunaga,
    "Impact of high energy particle irradiation on the electrical performance of Si1-xGex epitaxial diodes",
    Journal of Materials Science, 10, pp. 335-337 (1999). ,平成11年
  30. H. Ohyama, K.Hayama, J. Poortmans, M. Caymax, J. Vanhellemont, Y. Takami, H. Sunaga, ,
    "Radiation damage in Si1-xGex heteroepitaxial diodes",
    J. Radioanal. Nucl. Chem., Vol.239, pp.351-355, (1999).,平成11年
  31. 葉山清輝,工藤友裕,博多哲也,紫垣一貞,徳山順也,米岡将士,新貝秀雄,田口泰幸,大山英典,,
    "Windows環境における半導体デバイス評価システムの構築とその運用",
    論文集「高専教育」,第23号,pp.111-116, (2000).,平成12年
  32. H. Ohyama, M. Nakabayashi, E. Simoen, C. Claeys, Y. Takami, K. Kobayashi, M. Yoneoka, K. Hayama and H. Sunaga,
    "Radiation damage of n-MOSFETs fabricated in a BiCMOS process",
    Journal of Materials Science, Vol. 12, pp. 227-230 (2001). ,平成13年
  33. K. Hayama, H. Ohyama, E. Simoen, C. Claeys, A. Poyai, T. Miura and K. Kobayashi,
    "Radiation defects in STI diodes and their effects on device performance",
    Physica B, Vol. 308-310, pp. 1217-1221 (2001).,平成13年
  34. 中川重康,所 哲郎,仲野 巧,葉山清輝,大山英典,山口利幸,,
    "5高専に設置された太陽光発電設備における初期発電電力量の比較検討",
    論文集「高専教育」,第24号,pp. 79-84,(2001).,平成13年
  35. H. Ohyama, K. Hayama, E. Simoen, C. Claeys, K. Kobayashi, Y. Takami, M. Nakabayashi, S. Yoneoka, S. Kohiki,
    "Radiation induced defects in n-MOSFETs and their effects on device performance",
    Solid State Phenomena, 78-79, pp.205-210, (2001).,平成13年
  36. K. Kobayashi, H. Ohyama, M. Nakabayashi, E. Simoen, C. Claeys, M. Yoneoka, T. Kudou, K. Hayama and S. Kohiki,
    "Effects of lattice defects on degradation of flash memory cell",
    Solid State Phenomena, 78-79, pp.231-236, (2001).,平成13年
  37. K. Kobayashi, H. Ohyama, K.Hayama, Y. Takami, E. Simoen, A. Poyai, C. Claeys, A. Mohammadzadeh and S. Kohiki,
    "Assessment of radiation induced lattice defects in shallow trench isolation diodes irradiated by neutron",
    Solid State Phenomena, 78-79, pp.357-366, (2001).,平成13年
  38. 中川重康,所 哲郎,仲野 巧,葉山清輝,大山英典,山口利幸,,
    "5高専に設置された40kW太陽光発電設備データによる発電モデルの評価",
    論文集「高専教育」,第25号,pp. 55-60,(2002).,平成14年
  39. H. Ohyama, E. Simoen, C. Claeys, K. Hayama, M. Nakabayashi, A. Ueda and K. Kobayashi,
    "Radiation effects on n-MOSFETs fabricated in a BiCMOS process",
    Nucl. Instrum. Methods B, Vol. 186, pp. 419-423 (2002). ,平成14年
  40. H. Ohyama, K. Hayama, E. Simoen, C. Claeys, M. Nakabayashi, A. Poyai, T. Miura and K. Kobayashi,
    "Defects assessment of irradiated STI diodes",
    Nucl. Instrum. Methods B, Vol. 186, pp. 424-428 (2002). ,平成14年
  41. A. Poyai, E. Simoen, C. Claeys, K. Hayama, K. Kobayashi, and H. Ohyama,
    "Radiation effects on the current-voltage and capacitance-voltage characteristics of advanced p-n junction diodes surrounded by shallow trench isolation",
    Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, Vol. 186, pp. 409-413, (2002).,平成14年
  42. H. Ohyama, K. Hayama, K. Takakura, T. Miura, K. Shigaki, T. Jono, E. Simoen, A. Poyai and C. Claeys,
    "Irradiation temperature dependence of radiation damage in STI diodes",
    Microelectronic Engineering, 66, pp.517-521 (2003).,平成15年
  43. H. Ohyama, K. Hayama, K. Takakura, E. Simoen and C. Claeys,
    "Effects of irradiation temperature on radiation damage in electron-irradiated MOS FETs",
    Microelectronic Engineering, 66, pp. 530-535 (2003).,平成15年
  44. H. Ohyama, K. Takakura, K. Hayama, S. Kuboyama, Y. Deguchi, S. Matsuda, E. Simoen and C. Claeys,
    "Damage coefficient in high-temperature particle- and γ-irradiated silicon p-i-n diode,",
    Appl. Phys. Lett., vol. 82, pp. 296-298, (2003).,平成15年
  45. H. Ohyama, K. Hayama, K. Takakura, T. Miura, K. Shigaki, T. Jono, E. Simoen, A. Poyai and C. Claeys,
    "Influence of irradiation temperature on electron-irradiated STI diodes",
    Journal of Materials Science., vol. 14, pp. 451-454 (2003).,平成15年
  46. K. Takakura, H. Ohyama, A. Ueda, M. Nakabayashi, K. Hayama, K. Kobayashi, E. Simoen, A. Mercha and C. Claeys,
    "Recovery behaviour resulting from thermal annealing in n-MOSFETs irradiated by 20-MeV protons",
    Semicond. Sci. Technology, 18, pp. 506-511 (2003).,平成15年
  47. H. Ohyama, K. Takakura, K.Hayama, T. Kishikawa, T. Hirao, S. Onoda, E. Simoen and C. Claeys,
    "High Temperature Electron Irradiation Effects in InGaAs Photodiodes",
    Solid State Phenomena Vols. 95-96, pp.381-386, (2003).,平成15年
  48. T. Yamaguchi, M. Nakashima, S. Nakagawa, T. Tokoro, T. Nakano, K. Hayama and H. Ohyama,
    "Data Analysis on Performance of PV Systems installed at National Colleges of Technology in Japan",
    Technical Digest of 14th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Bangkok, January 26-30, pp.873-874, (2004).,平成16年
  49. E. Simoen, A. Mercha, A. Morata, K. Hayama, G. Richardson, J.M. Raf?, E. Augendre, C. Claeys, A. Mohammadzadeh, H. Ohyama, and A. Romsno-Rodriguez,
    "Short-Channel Radiation Effect in 60 MeV Proton Irradiated 0.13 ?m CMOS Transistors",
    IEEE Transaction on Nuclear Science, Vol.50, No.6, pp. 2426-2432, (2004). ,平成16年
  50. K. Hayama, H. Ohyama, E. Simoen, J.M. Raf?, A. Mercha, C. Claeys,
    "Anomalous threshold voltage change by 2MeV electron irradiation at 100oC in deep submicron metal-oxide-semiconductor field-effect transistors",
    Appl. Phys. Lett., Vol. 84, No. 16, pp. 3088-3090, (2004). ,平成16年
  51. K. Hayama, K. Takakura, H. Ohyama, A.Mercha, E.Simoen, C.Claeys, J.M.Rafi and M.Kokkoris,
    "Degradation of electrical performance and floating body effect in ultra thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs by 7.5-MeV proton irradiation",
    Microelectronics Reliability, 44 (2004), pp.1721-1726. ,平成16年
  52. J.M.Rafi, A.Mercha, E. Simoen, K.Hayama and C. Claeys,
    "Impact of Radiation-Induced Back-Channel Leakage and Back-Gate Bias on Drain Current Transient of Thin-Gate-Oxide Partially Depleted Silicon-On-Insulator n-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors",
    Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 43, No. 12, (2004), pp.7984-7992.,平成16年
  53. K. Hayama, K. Takakura, H. Ohyama, J. M. Rafi, A. Mercha, Simoen and C. Claeys,
    "Impact of 7.5-MeV proton irradiation on front-back gate coupling effect in ultra thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs",
    IEEE Trans. on Nucl. and Sci, 51, pp.3795-3800 (2004).,平成16年
  54. 葉山清輝,,
    "統一課題による動作シミュレーション・論理回路設計・HDLを用いた設計と実装までの計算機設計教材作成の試み",
    論文集「高専教育」,第31号, pp.83-88 (2005).,平成17年
  55. K. Hayama, K. Takakura, H. Ohyama, J.M. Raf?, A. Mercha, E. Simoen and C. Claeys,
    "Body potential analysis of ultra thin gate oxide FD-SOI MOSFETs in accumulation mode operation",
    Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol.16, No. 7, July 2005, pp.459 - 462.,平成17年
  56. K. Hayama, K. Takakura, H. Ohyama, S. Kuboyama, S. Matsuda, J.M. Raf?, A. Mercha, E. Simoen and C. Claeys,
    "Radiation source dependence of performance degradation in thin gate oxide fully-depleted SOI n-MOSFETs",
    Microelectronics and Reliability, Volume 45, Issues 9-11, September-November 2005, pp.1376-1381.,平成17年
  57. K. Hayama, K. Takakura, H. Ohyama, J. M. Rafi, A. Mercha, Simoen and C. Claeys,
    "Effect of High-Temperature Electron Irradiation in Thin Gate Oxide FD-SOI n-MOSFETs",
    IEEE Trans. on Nucl. and Sci, Vol.52, No. 6, pp.2392-2397 (2005).,平成17年
  58. K. Hayama, K. Takakura, S. Okada, H. Ohyama, J. M. Rafi, J.A. Martino , A. Mercha, Simoen and C. Claeys,
    "Investigation of back gate interface states by drain current hysteresis in PD-SOI n-MOSFETs",
    Physica B: Condensed Matter, Volumes 376-377, 1 April 2006, Pages 416-419.,平成18年
  59. K. Takakura, K. Hayama, D. Watanabe, H. Ohyama, T. Kudou, K. Shigaki, S. Matsuda, S. Kuboyanma, T. Kishikawa, J. Uemura, E. Simoen, C. Claeys,
    "Radiation defects and degradation of Si photodiodes irradiated by neutrons at low temperature",
    Physica B: Condensed Matter, Volumes 376-377, 1 April 2006, Pages 403-406.,平成18年
  60. K. Hayama, K. Takakura, H. Ohyama, J. M. Raf?, A. Mercha, E. Simoen, C. Claeys,
    "Analysis of 2-MeV Electron-Irradiation Induced Degradation in FD-SOI MOSFETs Fabricated on ELTRAN and UNIBOND Wafers",
    IEEE Transactions on Nuclear Science,Volume: 53, Issue: 4, Part 1, pp.1939- 1944, Aug. 2006.,平成18年
  61. J.M. Raf?, E. Simoen, K. Hayama, A. Mercha, F. Campabadal, H. Ohyama and C. Claeys,
    "Hot-carrier-induced degradation of drain current hysteresis and transients in thin gate oxide floating body partially depleted SOI nMOSFETs",
    Microelectronics and Reliability,?Volume 46, Issues 9-11,?September-November 2006,?Pages 1657-1663,平成18年
  62. K. Hayama, K. Takakura, K. Shigaki, H. Ohyama, J.M. Raf?, A. Mercha, E. Simoen and C. Claeys,
    "Impact on the back gate degradation in partially depleted SOI n-MOSFETs by 2-MeV electron irradiation",
    Microelectronics and Reliability,?Volume 46, Issues 9-11, September-November 2006, Pages 1731-1735.,平成18年
  63. K. Takakura, H. Ohyama, K. Hayama, Y. Aoki, G. Eneman, P. Verheyen, E. Simoen, R. Loo and C. Claeys,
    "Radiation damage in electron-irradiated strained Si n-MOSFETs",
    Materials Science in Semiconductor Processing,?Volume 9, Issues 4-5,?August-October 2006,?Pages 732-736.,平成18年
  64. K. Takakura, H. Furukawa, S. Kuroki, K. Hayama, T. Kudou, K. Shigaki, H. Ohyama, E. Simoen, G. Eneman and C. Claeys,
    "Radiation defects and degradation of C-doped SiGe diodes irradiated by electrons",
    Materials Science in Semiconductor Processing, Volume 9, Issues 1-3, February-June 2006, Pages 292-295.,平成18年
  65. K. Takakura, K. Hayama, D.Watanabe, H.Ohyama, T. Kudou, K. Shigaki, S.Matsuda, S. Kuboyama, T.Kishikawa, J.Uwatoko, E.Simoen, C.Claeys,
    "Radiation defects and degradation of Si phtodiodes irradiated by neutrons at low temperature",
    Physica B: Condensed Matter, Vlo.376-377, April 2006, pp.403-406.,平成18年
  66. K. Hayama, H. Ohyama, K. Takakura, J. M. Raf?, A. Mercha, E. Simoen, C. Claeys,
    "Temperature dependece of drain current hysteresis in FD and PD-SOI n-MOSFETs",
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 253, (2006), pp. 246-249.,平成18年
  67. K. Hayama, K. Takakura, M. Yoneoka, H. Ohyama, J.M. Raf?, A. Mercha, E. Simoen and C. Claeys ,
    "Dose rate dependence of the back gate degradation in thin gate oxide PD-SOI MOSFETs by 2-MeV electron irradiation",
    Microelectronic Engineering,?Volume 84, Issues 9-10,?September-October 2007,?Pages 2125-2128.,平成19年
  68. J.M. Raf?, E. Simoen, A. Mercha, K. Hayama, F. Campabadal, H. Ohyama and C. Claeys ,
    "Electrical stress on irradiated thin gate oxide partially depleted SOI nMOSFETs",
    Microelectronic Engineering,?Volume 84, Issues 9-10,?September-October 2007,?Pages 2081-2084.,平成19年
  69. T. Ohtani, K. Hayama, K. Takakura, T. Kudou, H. Ohyama, A. Mercha, E. Simoen, C.Claeys,
    "Radiation damage in proton-irradiated strained Si n-MOSFETs",
    Extended abstracts of the 26th Electronic Materials Symposium, Laforet Biwako, Japan, Jul. 4-6,2007.,平成19年
  70. K. Hayama, K. Takakura, H. Ohyama,,
    "Dose rate dependece of radiation-induced lattice defects and performance degradation in npn Si bipolar transistors by 2-MeV electron Irradiation",
    Physica B Vol.401-402, pp.469-472, 2007.,平成19年
  71. K. Hayama, H. Takako, H. Ohyama, M. Ishida,
    "Radiation Resistance of MOSFET-Like MEMS Microvalve for Highly Reliable Microfluidic Integrated Circuits ",
    Abstracts of MicroNanoReliability 2007,p.245,September 2-5, 2007, Berlin, Germany.,平成19年
  72. K. Hayama, H. Ohyama, K. Takakura, T. Kudou, K. Shigaki, J. M. Raf?, A. Mercha, E. Simoen, C. Claeys,
    "Carrier lifetime analysis in thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs by gate-induced drain current transients",
    Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Volume 19, Number 2 , (2008), pp.161-165. ,平成20年
  73. K.Hayama, K. Takakura, T. Ohtani, T. Kudou, H. Ohyama, A.Mercha, E.Simoen and C. Claeys,
    "Radiation damage in proton-irradiated strained Si n-MOSFETs",
    Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 11 (2008), pp.314-318.,平成20年
  74. 田畑亨,柴里弘毅,葉山清輝,,
    "低学年からの新しいキャリア教育プログラムの実践,",
    論文集「高専教育」第32号,Pp.793-798,平成21年3月.,平成21年
  75. 葉山清輝,
    "ハードウェア設計教育へのPBL導入の試み",
    日本産業技術教育学会誌,第51号巻第1号,(2009),pp.49-54,平成21年
  76. J.M.Raf?, C.Boulord,K. Hayama, H. Ohyama, F.Campabadal, G.Pellegrini, M.Lozano, E.Simoen, C.Claeys,,
    "Degradation of high-resistivity floating zone and magnetic Czochralski n-type silicon detector subjected to 2-MeV electron irradiation",
    Nuclear Instruments and Methods inPhysics Research A, vol. 604, (2009), pp. 258-261.,平成21年
  77. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "自律型ロボットコンテスト出場を動機付けとした創造性育成教育の実践",
    論文集「高専教育」,第33号,(2010),pp.209-214.,平成22年
  78. 石橋孝昭(情報通信エレクトロニクス工学科), 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "電子回路学習における講義と実験の一体化の継続的取り組み",
    論文集「高専教育」,第36号,(2013),pp.103-108.,平成24年
  79. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科), 入江 博樹(建築社会デザイン工学科),
    "GPSロボットカーキットの設計と試作",
    論文集「高専教育」,第36号,(2014),pp.261-266.,平成26年3月
  80. 入江博樹,葉山清輝,浪江宏宗,,
    " GPS・QZSSロボットカーコンテスト2015",
    ,NAVIGATION(特集),194号,平成27年10月,pp.38-43.,平成27年
  81. Rion Yamada and Kiyoteru Hayama,
    "Development of Micromouse for Education Using mbed Platform",
    ICIC Express Lewtters, Vol. 9, No. 12, December 2015,平成27年
  82. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "自律型ロボットコンテスト出場を動機付けとした創造性育成教育の実践",
    論文集「高専教育」,第33号,(2010),pp.209-214.,平成22年
  83. 石橋孝昭(情報通信エレクトロニクス工学科), 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "電子回路学習における講義と実験の一体化の継続的取り組み",
    論文集「高専教育」,第36号,(2013),pp.103-108.,平成24年
  84. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科), 入江 博樹(建築社会デザイン工学科),
    "GPSロボットカーキットの設計と試作",
    論文集「高専教育」,第36号,(2014),pp.261-266.,平成26年3月

研究紀要

  1. 葉山清輝,徳山順也,大山英典,,
    "演算増幅器の電子線照射損傷に関する一考察",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要,第18号,1992年.,
  2. 大山英典,葉山清輝,,
    "電子線照射電界効果トランジスタの熱処理効果",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要,第19号,1993年.,
  3. 葉山清輝,石田誠,廣田和之,中村哲郎,,
    "Si基板上へのAl2O3エピタキシャル成長における活性酸素の効果",
    電子情報通信学会技術研究報告,1993年.,
  4. 工藤友裕,葉山清輝,大山英典,徳山順也,,
    "電子線照射演算増幅器の特性劣化機構に関する一考察",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要,第19号,1993年.,
  5. 葉山清輝,石田誠,中村哲郎,,
    "酸素と酸素ラジカル分子線によるSi表面酸化過程",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要,第21号,1994年.,
  6. 葉山清輝,石田誠,,
    "ジメチルエチルアミンアランを用いたSi基板上へのAl膜のエピタキシャル成長",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要,第22号,1995年.,
  7. 大山英典,徳山順也,工藤友裕,葉山清輝,博多哲也,,
    "熊本電波高専・半導体デバイス研究グループにおける教育・研究活動",
    平成7年全国高専・長岡技科大電気系教官交流研究集会,1995年.,
  8. 博多哲也,大山英典,葉山清輝,徳山順也,,
    "D/Aコンバータの速中性子線照射損傷に関する一考察",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要,第22号,1995年.,
  9. 葉山清輝,石田誠,,
    "ジメチルエチルアミンアランを用いたSi基板上へのAl2O3膜のヘテロエピタキシャル成長",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要,第23号,1996年.,
  10. 博多哲也,葉山清輝,工藤友裕,大山英典,徳山順也,,
    "演算増幅器の中性子線損傷とその熱処理効果",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要,第23号,1996年.,
  11. 工藤友裕,博多哲也,葉山清輝,大山英典,徳山順也,,
    "InGaAsフォトダイオードの中性子線損傷",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要,第23号,1996年.,
  12. 葉山清輝,石田誠,,
    "マグネトロンスパッタリング法によるAl2O3/Siの成長",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要,第24号,1997年.,
  13. 葉山清輝,大山英典,,
    "マグネトロンスパッタ法を用いたSiGeフォトダイオードの製作",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要,第24号,1997年.,
  14. 博多哲也,大山英典,葉山清輝,工藤友裕,紫垣一貞,徳山順也,,
    "HEMTの放射線損傷に関する一考察",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要,第24号,1997年.,
  15. 工藤友裕,博多哲也,葉山清輝,大山英典,紫垣一貞,徳山順也,,
    "電子線及び中性子線照射によるInGaAsフォトダイオードの損傷",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要,第24号,1997年.,
  16. 葉山清輝,工藤友裕,大山英典,徳山順也,,
    "オージェ電子分光装置を用いたSiGe薄膜の評価",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要,第25号,1998年.,
  17. 葉山清輝,工藤友裕,博多哲也,大山英典,,
    "Windows環境における半導体デバイス評価システムの開発",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第26号,pp.1-8, 1999年.,
  18. 米岡将士,葉山清輝,新貝秀雄,田口泰幸,,
    "FPGAボードを用いた計算機工学実験の提案",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第26号,pp.51-59, 1999年.,
  19. 葉山清輝,大山英典,,
    "リーク電流補償回路を付加したCMOSICの電子線損傷",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第27号,p.1, 2000年.,
  20. 米岡将士,葉山清輝,大山英典,,
    "STI(shallow trench isolation)ダイオードの照射損傷",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第27号,p.7, 2000年.,
  21. 葉山清輝,,
    "教育用仮想計算機システムの開発",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第28号,p.1, 2001年.,
  22. 米岡将士,三浦 隆,工藤友裕,葉山清輝,大山英典,,
    "デジタルDLTS測定装置による半導体デバイスの評価",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第28号,p.23, 2001年.,
  23. 葉山清輝,,
    "教育用8ビット計算機システムの設計",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第29号,pp.1-7, 2002年.,
  24. 米岡将士,葉山清輝,三浦隆,徳山順也,紫垣一貞,大山英典,,
    "STIダイオードの電子線による高温照射損傷",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第29号,pp.47-54, 2002年.,
  25. 葉山清輝,,
    "ハードウェア記述言語による教育用8ビット計算機の設計と実装",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第30号, pp.1-10, 2003年.,
  26. 葉山清輝,高倉健一郎,大山英典,,
    "0.1μmFD-SOI n-MOSFETの7.5MeV陽子線による照射損傷",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第31号, pp.31-49, 2004年.,
  27. 高倉健一郎,工藤友裕,葉山清輝,大山英典,渋谷睦夫,萱本良雄,,
    "透明電極用材料β-Ga2O3の作製",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第31号,pp.61-68, 2004年.,
  28. 高倉健一郎,工藤友裕,紫垣一貞,大山英典,葉山清輝,米岡将士,,
    "透明電極用材料β-Ga2O3の作製(II)~不純物添加によるβ-Ga2O3膜の結晶性の検討",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第32号,pp.37-42, 2005年.,
  29. 葉山清輝,高倉健一郎,米岡将士,大山英典,,
    "超薄膜ゲートを有するFD-SOI MOSFETのドレイン電流の過渡特性",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第32号, pp.43-49, 2005年.,
  30. 葉山清輝,松尾和典,,
    "教育用小規模計算機のHDLによる設計・実装教材の整備",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第32号, pp.51-60, 2005年.,
  31. 葉山清輝,高倉健一郎,大山英典,,
    "強誘電体薄膜を用いたイオンセンサ",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第32号, pp.61-66, 2005年.,
  32. 葉山清輝,濱 幸宣,松尾和典,,
    "VerilogHDLによる教育用8ビット計算機の設計",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第33号, pp.45-56, 2006年.,
  33. 葉山清輝,岩村 義明,高倉健一郎,大山 英典,,
    "ドレイン電流の過渡特性によるPDとFD-SOI MOSFETの実効的な寄生容量評価方法,",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第35号,pp.7-10, 2007年.,
  34. 葉山清輝,,
    "4ビットCPUの設計を題材としたハードウェア設計教育へのPBL導入",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第35号, pp.7-10, 2008年.,
  35. 葉山 清輝,岩村義明,高倉健一郎,大山英典,澤田和明,石田 誠,,
    "エピタキシャルAl2O3/Si構造の耐放射線性に関する研究,",
    熊本電波工業高等専門学校研究紀要 第35号, pp.11-13, 2008年.,
  36. 葉山清輝,茂田哲男,松本勉,,
    "マイクロマウス競技を題材とした創造性育成教育の実践",
    熊本高等専門学校研究紀要 第1号, (2009)pp.25-30,2009年12月.,
  37. 大山英典,紫垣一貞,葉山清輝,高倉健一郎,米岡将士,高見保清,Jan Vanhellemont,Eddy Simoen,Cor Claeys,,
    "Radiation damages of SiGe devices",
    熊本高等専門学校研究紀要 第1号, (2009)p.93,2009年12月.,
  38. 高倉健一郎,古閑大輝,米岡将士,工藤友裕,葉山清輝,紫垣一貞,大山英典,萱本良雄,渋谷睦夫,山本博康,,
    "Optical property and crystallinities of Si doped β-Ga2O3 thin films",
    熊本高等専門学校研究紀要 第1号, (2009)p.99,2009年12月.,
  39. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "講義と実験の一体化を目指す取り組み-ブレッドボードを用いた講義中の電子回路実験-",
    熊本高等専門学校研究紀要 第2号,(2011),pp.39-44.,平成22年12月
  40. 葉山清輝,角田功(情報通信エレクトロニクス工学科), 山崎充裕(共通教育科),
    "低学年へのGPSを利用した技術者育成教育",
    熊本高等専門学校研究紀要 第2号,(2011),pp.33-38.,平成22年12月
  41. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "教材用デジタルオシロスコープと低周波発振器キットの製作",
    熊本高等専門学校 研究紀要第3号,平成23年12月
  42. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "8×8LEDマトリクスを用いた電光掲示板教材の開発とその活用",
    熊本高等専門学校 研究紀要第4号,平成24年12月
  43. 大塚弘文(制御情報システム工学科), 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "授業内演習のための自動制御実験装置の開発",
    熊本高等専門学校 研究紀要第5号,平成26年2月
  44. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "理科教材用の安価なセンサ実験ボードの開発とその活用例",
    熊本高等専門学校 研究紀要第5号,平成26年2月
  45. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "自律型ロボット競技ルールに則した教育用ロボットのmbedによる開発",
    熊本高等専門学校 研究紀要第6号,平成26年12月

国際学会等発表

  1. K. Hayama, M. Ishida and T.Nakamura,
    "Effect of Radical Oxygen for Epitaxial Growth of Al2O3 of Si",
    Extended abstracts of the 1993 Int. Conf.on Solid State Devices and Materials, pp.576-578, (1993). ,平成5年
  2. K. Hayama, T. Togun, M. Ishida and T. Nakamura,
    "Different reaction of O2 and oxygen radicals with Si under critical conditions for growth of SiO2",
    Proc. of Second Int. Sympo. on Ultra Clean Processing of Silicon Surfaces, (ACCO Leuven / Amersfoort), pp.305-308, (1994).,平成6年
  3. H. Ohyama, J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, H. Sunaga, J. Poortmans, M. Caymax and P. Clauws,
    "Irradiation induced lattice defects in Si1-xGex devices and their effects on device performance",
    proceeding of the 1st international conference on materials for microelectronics ICMM, pp.326-328, (1994).,平成6年
  4. H. Ohyama, J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, H. Sunaga, J. Poortmans and M. Caymax,
    "Irradiation induced lattice defects in Si1-xGex epitaxial devices",
    proceeding of the 18th international conference on defects in semiconductors, ICDS-18, pp.299, (1995).,平成7年
  5. H. Ohyama, J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, T. Kudo, T. Hakata, K. Kobayashi, H. Sunaga, I. Hironaka, J. Poortmans and M. Caymax,
    "Degradation and recovery of Si1-xGex devices by irradiation",
    proceeding of 1995 Spring Meeting of Material Research Society, Vol.379, pp.365-371, (1995).,平成7年
  6. H. Ohyama, J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, H. Sunaga, J. Poortmans and M. Caymax,
    "Radiation source dependence of degradation and recovery of irradiated Si1-xGex epitaxial devices",
    Proceedings of 3rd European Symposium Radiation and their effects on components and systems, RADECS, pp.66, (1995).,平成7年
  7. H. Ohyama, J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, H. Sunaga, J. Poortmans and M. Caymax,
    "Substrate effects on the degradation of irradiated Si diodes",
    Proceedings of 3rd European Symposium Radiation and their effects on components and systems, RADECS, pp.72, (1996).,平成8年
  8. H. Ohyama, J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, T. Kudo, T. Hakata, J. Tokuyama, K. Kobayashi, H. Sunaga, I. Hironaka, Y. Uwatoko, J. Poortmans and M. Caymax,
    "Degradation and recovery of Si1-xGex devices after proton irradiation",
    Proceedings of Material Research Society 1996 Spring Meeting, pp.112, (1996).,平成8年
  9. H. Ohyama, K. Hayama, E. Simoen, J. Vanhellemont, C. Claeys, H. Sunaga , Y. Takami,
    "Lattice defects in Si1-xGex epitaxial diodes induced by 20-MeV alpha rays",
    Proc. of the 19th Int. Conf. of Defects in Semiconductor, ICDS-19, Averio Portugal, p.245 (1997).,平成9年
  10. H. Ohyama, T. Hakata, E. Simoen, C. Claeys, Y. Takami, K. Hayama, J. Tokuyama, K. Shigaki, K. Kobayashi, H. Sunaga, K. Miyahara and M. Hoshoshima,
    "Radiation damage of Si avalanche photodiodes by 1-MeV fast neutrons and 220-MeV carbon particles",
    proceeding of Materials Research Society 1997 Fall Meeting, Boston, USA, 487, pp. 429-434 (1997). ,平成9年
  11. H. Ohyama, E. Simoen, C. Claeys, Y. Takami, K. Hayama, T. Hakata, J. Tokuyama, K. Kobayashi, H. Sunaga, J. Poortmans and H. Caymax,
    "Impact of the Ge content on the radiation hardness of hetero-junction diodes in SiGe strained layers",
    proceeding of Materials Research Society's 1998 Spring Meeting, San Francisco, USA, 533, pp. 99-104 (1998). ,平成10年
  12. H. Ohyama, E. Simoen, C. Claeys, Y. Takami, K. Hayama, T. Hakata, H. Sunaga, J. Poortmans and M. Caymax,
    "Impact of high energy particle irradiation on the electrical performance of Si1-xGex epitaxial diodes",
    proceeding of 2nd International Conference on Materials for Microelectronics ICMM, Bordeaux France, pp. 11-18 (1998). ,平成10年
  13. K. Hayama, H. Ohyama, E. Simoen, C. Claeys and H. Sunaga,
    "Electron-irradiation effects of analog CMOS integrated circuit with leakage current compensation",
    proceeding of 18th Electronic Materials Symposium EMS '99, Kii- Shirahama Japan, pp. 159-162 (1999).,平成11年
  14. H. Ohyama, E. Simoen, S. Kuroda, C. Claeys, Y. Takami, T. Hakata, K.Hayama, T. Tagiri and H. Sunaga ,
    "Radiation damage in AlGaAS/GaAs pseudomorphic HEMTs",
    Proceedings of Radiation and its Effects on Components and System RADECS 99, Fontevraud France, September 13-17, (1999).,平成11年
  15. K. Hayama, H. Ohyama, E. Simoen, C. Claeys,
    "Electron-irradiation effects of analog CMOS integrated circuit with leakage current compensation",
    proceedings of Electronic Materials Symposium EMS'99, Kii-Shirahama Japan, pp159-162, (1999).,平成11年
  16. A. Poyai, E. Simoen, C. Claeys, K.Hayama, K. Kobayashi, H. Ohyama, H. Takizawa, M. Kokkoris, E. Kossionides, G. Fanourakis and A. Mohammadzadeh,
    "High-energy boron implantation and proton-irradiation effects in diodes with shallow trench isolation",
    Proc. of 2nd. European Network on Defects Engineering of Advanced Semiconductor Devices, Stockholm Sweden, pp.193-203, (2000).,平成12年
  17. K. Hayama, H. Ohyama, K. Kobayashi, E. Simoen, C. Claeys and Y. Takami,
    "Effects of leakage current compensation on neutron irradiated analog CMOS integrated circuit",
    proceedings of Electronic Materials Symposium EMS'19, Izu-Nagaoka Japan, pp15-16, (2000).,平成12年
  18. M. Yoneoka, K.Hayama, H. Ohyama, K. Kobayashi, T. Tanaka, E. Simoen, C. Claeys and H. Takizawa,
    "Degradation of electron-irradiated shallow trench isolation diodes",
    proceedings of Electronic Materials Symposium EMS'19, Izu-Nagaoka Japan, pp17-18, (2000).,平成12年
  19. K.Hayama, H. Ohyama, K.Kobayashi, A.Poyai, E.Simoen, C.Claeys Y.Takami, H.Takizawa and A.Mohammadzadeh,
    "Radiation source dependence of degradaion in shallow trench isolation diodes",
    Proc. of RADECS 2000 workshop, Louvain-la Neuve Belgium, Sept. 11-13, (2000). ,平成12年
  20. K. Hayama, H. Ohyama, E. Simoen, C. Claeys and H. Takizawa,
    "Electron-irradiation effects of CMOS integrated circuit with leakage current compensation",
    Proc. of RADECS 2000 workshop, Louvain-la Neuve Belgium, Sept. 11-13, (2000). ,平成12年
  21. H. Ohyama, K. Hayama, M. Nakabayashi, S. Yoneoka, K. Kobayashi, E. Simoen, C. Claeys, Y. Takami and H. Sunaga,
    "Influence of boron implantation dose on the mechanical stress in polycrystalline silicon films",
    Proc. of the 3rd International Conference on Materials for Microelectronics, Dublin Castle Ireland, pp.85-88, (2000).,平成12年
  22. H. Ohyama, K. Hayama, M. Nakabayashi, S. Yoneoka, K. Kobayashi, E. Simoen, C. Claeys, Y. Takami and H. Sunaga,
    "Radiation damage of n-MOSFETs fabricated in a BiCMOS process",
    Proc. of the 3rd International Conference on Materials for Microelectronics, Dublin Castle Ireland, pp.107-110, (2000).,平成12年
  23. H. Ohyama, K. Hayama, E. Simoen, C. Claeys, A. Poyai, A. Mohammadzadeh and K. Kobayashi,
    "Radiation performance of shallow trench isolation diodes",
    Proc. of the 4th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, Tsukuba Japan, pp.19-24, (2000). ,平成12年
  24. C. Claeys, E. Simoen, A. Poyai, K. Hayama, K. Kobayashi, H. Ohyama, and A. Mohammadzadeh,
    "Radiation performance of shallow trench isolation",
    In: Proc. of the 4th international workshop on radiation effects on semiconductor devices for space application, National Space Development Agency of Japan and Japan Atomic Energy Research Institute, pp. 19-24, (2000).,平成12年
  25. H. Ohyama and K. Hayama,
    "Radiation damage of polycrystalline silicon films",
    Proceeding of 2001 Korea-Japan Workshop on Advanced Semiconductor Process and Equipments, pp.165-166, (2001).,平成13年
  26. H. Ohyama, K. Hayama, T. Miura, K. Kobayashi, S. Yoneoka, E. Simoen, C. Claeys, A. Poyai,
    "Radiation damage in shallow trench isolation diodes",
    Proceeding of International Conference on Electrical Engineering, ICEE 2001, pp.1720-1723, (2001).,平成13年
  27. H. Ohyama, K.Hayama, K. Tanaka, K. Kobayashi, M. Nakabayashi, E. Simoen, C. Claeys,
    "Radiation effects on polycrystalline silicon films",
    Proceeding of International Conference on Electrical Engineering, ICEE 2001, pp.1863-1866, (2001).,平成13年
  28. A. Poyai, E. Simoen, C. Claeys, K. Hayama, K. Kobayashi, and H. Ohyama,
    "Proton-irradiation effect on the electric-field enhancement of the generation lifetime in shallow p-n junction diodes",
    In: Proc. of the crystalline defects and contamination: Their impact and control in device manufacturing III-DECON 2001, Eds B.O. Kolbesen, C. Claeys, P. Stallhofer, and F. Tardif, PV 2001-29, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, pp. 93-102, 2001.,平成13年
  29. K. Hayama, H. Ohyama, K. Takakura, E. Simoen, A, Mercha and C. Claeys,
    "Radiation damage in deep submicron MOSFETs by high-temperature electron irradiation",
    Proceeding of the 21st Electronics Materials Symposium, Izu-Nagaoka, p.199-200, (2002).,平成14年
  30. H. Ohyama, K. Hayama, K. Takakura, E. Simoen and C. Claeys,
    "Radiation damage of MOSFETs by high temperature electron irradiation",
    Proceeding of International Conference on Electrical Engineering 2002, Jeju Island Korea, pp. 1287-1290, (2002).,平成14年
  31. H. Ohyama, K. Hayama, K. Takakura, K. Shigaki, T. Jono, E. Simoen, C. Claeys, J. Uemura and T. Kishikawa,
    "Irradiation temperature dependence of radiation damage in Si photodiodes",
    Proceeding of International Conference on Electrical Engineering 2002, Jeju Island Korea, pp. 1368-1371, (2002).,平成14年
  32. S. Nakagawa, T. Tokoro, T. Nakano, K. Hayama, H. Ohyama and T. Yamaguchi,
    "Construction of Electric Power Generation Database of 40kW Photovoltaic Power Systems at National Colleges of Technology in Japan",
    Proceeding of International Conference on Electrical Engineering 2002, Jeju Island Korea, pp. 350-353, (2002).,平成14年
  33. H. Ohyama, K. Hayama, K. Takakura, T. Miura, E. Simoen, C. Claeys, A. Poyai and Y. Takami,
    "Radiation damages in STI diodes after high temperature electron-irradiation",
    Proceeding of the RADECS workshop, RADiation and its Effects on Components and Systems, Padova Italy, September 19-20, pp. 121-123, (2002).,平成14年
  34. K. Hayama, H. Ohyama, K. Takakura, E. Simoen, A, Mercha, C. Claeys and Y. Takami,
    "Effects of high-temperature electron irradiation on submicron MOSFETs",
    Proceeding of the RADECS workshop, RADiation and its Effects on Components and Systems, Padova Italy, September 19-20, pp. 107-109, (2002).,平成14年
  35. H. Ohyama and K. Hayama,
    "Degradation behaviors of high-temperature irradiated Si photodiodes",
    Proceeding of the 3rd Jpan-Korea Joint workshop on advanced semiconductor processes and equipments, pp.123-124, (2002).,平成14年
  36. H. Ohyama, K. Hayama, K. Takakura, E. Simoen, A. Poyai, and C. Claeys,
    "Influence of irradiation temperature on electron-irradiation STI Si diodes",
    In: Proc. of the 4th International Conference on Materials for Microelectronics and Nanoengineering, IOM Communications Ltd., London, UK, pp. 299-302, 2002.,平成14年
  37. H. Ohyama, K. Hayama, K. Takakura, E. Simoen, A. Poyai, and C. Claeys,
    "Irradiation temperature dependence of radiation damage in STI diode",
    In: Proc. of the 8th International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2002), Xi’an China, pp. 487, 2002.,平成14年
  38. K.Hayama, H. Ohyama, K. Takakura E. Simoen, A. Mercha, C. Claeys,
    "Degradation and recovery behaviour of submicron MOSFETs irradiated by electrons at high temperature",
    proceeding of International Conference on Electrical Engineering 2003, Hong Kong, July 6-10, ICEE-018, (2003).,平成15年
  39. K.Hayama, H.Ohyama T.Tokoro, S.Nakagawa, T.Nakano and T.Yamaguchi,
    "Study on Photovoltage of Power System located at National College of Kyushu climatic division in Japan",
    CD Proceedings of International Conference on Electrical Engineering 2003 (ICEE2003) (Hong Kong, July 6-10, 2003) ICEE-108, p.A56.,平成15年
  40. T.Yamaguchi, A.Sugimoto, S.Nakagawa, T.Tokoro, T.Nakano, K.Hayama and H.Ohyama,
    "Effective Usage of Photovoltaic Power System in Consideration of Electric Charge and Demand Pattern",
    CD Proceedings of International Conference on Electrical Engineering 2003 (ICEE2003) (Hong Kong, July 6-10, 2003) ICEE-096, p.A51.,平成15年
  41. S.Nakagawa, T.Tokoro, T.Nakano, K.Hayama, H.Ohyama and T.Yamaguchi,
    "Module Temperature Model for Estimating the Electric Energy Generated by 40kW Photovoltaic Power System",
    CD Proceedings of International Conference on Electrical Engineering 2003 (ICEE2003) (Hong Kong, July 6-10, 2003) ICEE-256, p.A107.,平成15年
  42. T.Yamaguchi, M.Kawakami, K.Kitano, S.Nakagawa, T.Tokoro, T.Nakano, K.Hayama and H.Ohyama,
    "Data analysis on performance of PV system installed in south and north directions",
    Proceedings of 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (Osaka, May 11-18, 2003)(in press).,平成15年
  43. S.Nakagawa, T.Tokoro, T.Nakano, K.Hayama, H.Ohyama and T.Yamaguchi,,
    "An effect of snow on the generation of electric energy by 40kW PV system",
    Proceedings of 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (Osaka, May 11-18, 2003)(in press).,平成15年
  44. K. Hayama, H. Ohyama, K. Takakura, E. Simoen and C. Claeys,
    "Effect of high-temperature electron irradiation in deep submicron MOSFETs",
    proceeding of the 7th European conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, Noordwijk, The Netherlands, September 15-19, pp. 443-450 (2003).,平成15年
  45. T. Kudou, R. Naito, K. Hayama, K. Shigaki, K. Takakura and H. Ohyama ,
    " Thermal effect for radiation damage on InGaAs photodiodes by electron",
    proceedings of Electronic Materials Symposium EMS'22, Izu-Nagaoka Japan, (2003).,平成15年
  46. K. Hayama, H. Ohyama, J.M. Raf?, A. Mercha, E. Simoen and C. Claeys,
    "Linear Kink Effect Induced Drain Current Hysteresis in Ultra Thin Gate Oxide FD-SOI n-MOSFETs",
    Proc. of Ultimate Integration of Silicon (ULIS 2004), IMEC, Leuven, Belgium, March 11-12, pp.59-62, (2004).,平成16年
  47. K. Hayama, K. Takakura, H. Ohyama, J.M. Rafi, A. Mercha, E. Simoen and C. Claeys,
    "Physics of the floating body effect in FD-SOI n-MOSFETs at liquid nitrogen temperature",
    Programme summary of Belgian Physical Society, INTERNATIONAL SCIENTIFIC MEETING, 2004?, UNIVERSIT? DE MONS-HAINAUT, 25 and 26 May 2004, p.72.,平成16年
  48. K. Hayama, K. Takakura, H. Ohyama, J. M. Raf?, A. Mercha, E. Simoen, and C. Claeys,
    "Enhancement of Linear Kink Effect in Fully Depleted SOI n-MOSFETs at Liquid Nitrogen Temperature",
    Proc. of Sixth European Workshop on Low Temperature Electronics, 23-25 June 2004, ESTEC Noordwijk, Netherland, pp. 121-126.,平成16年
  49. K. Takakura, K. Hayama, H. Ohyama, A. Mercha,S.C. Lee,E. Simoen,C. Claeys ,
    "Device Performance of 90nm nMOSFETs at Liquid Nitrogen Temperature",
    Sixth European Workshop on Low Temperature Electronics, 23-25 June 2004, ESTEC Noordwijk, Netherland, pp. 239-244.,平成16年
  50. K. Hayama K. Takakura, H. Ohyama, J. M. Raf?, A. Mercha, E. Simoen, and C. Claeys,
    "Ultra thin gate induced body potential change of FD-SOI MOSFETs in accumulation mode operation",
    Extended abstracts of the 23rd electronic materials symposium, vol. 23 pp. 41-42.,平成16年
  51. K. Takakura, T. Nakashima, K. Ohtsuka, T. Sakamoto, T. Kudou, K. Hayama and H. Ohyama,
    "Growth of ?-Ga2O3 thin film on Si (001) substrate by sputtering method",
    Extended abstracts of the 23rd electronic materials symposium, vol. 23 pp. 223-224,2004.,平成16年
  52. K. Hayama, M. Nakamura, Y. Kai, H. Ohyama, Y. Nakano, R. Shiratsuchi and K. Kakimoto,
    "Chemical Ion Sensor Based on Ferroelectric Thin Film Electrode",
    Proc. of International Conference on Electrical Engineering 2004 (ICEE2004), July 4-8, 2004, Sapporo, Japan, Vol.3-2, pp.1254-1257.,平成16年
  53. K. Hayama, H. Ohyama, K. Takakura, E. Simoen and C. Claeys,
    "Body potential analysis of ultra thin gate oxide FD-SOI MOSFETs in accumulation mode operation",
    proceeding of the 5th International Conference Materials for Microelectronics and Nanoengineering, September 13-14, Southampton, UK, pp. 120-123 (2004).,平成16年
  54. K. Hayama, H. Ohyama, K. Takakura, S. Kuboyama, T. Jono, K. Oka, S. Matsuda, E. Simoen and C. Claeys,
    "Radiation source dependence on floating-body effect in thin gate oxide fully-depleted SOI n-MOSFETs",
    Proc. of The 6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Application, Oct. 6-8,2004, Tsukuba, Japan, pp. 249-252 (2004).,平成16年
  55. K. Hayama and H. Ohyama,
    "Degradation of Electrical Performance in FD-SOI n-MOSFETs by 7.5-MeV Protons and 2-MeV Electrons",
    Proceeding of 2004 Japan-Korea Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments, Nov. 18-20, Unzen, Japan, pp.166-169.,平成16年
  56. K. Hayama, J.M. Raf?, K. Takakura, H. Ohyama, A. Mercha, E. Simoen, C. Claeys, S. Kuboyama, K. Oka and S. Matsuda,
    "Degradation of the Electrical Performance and Floating Body Effects in Ultra Thin Gate Oxide FD-SOI n-MOSFETs by 2-MeV Electron Irradiation",
    Proc. of Radiation Effects on Components and Systems, RADECS 2004 workshop, September 22-24, Madrid, Spain, pp.43-48, (2004).,平成16年
  57. K. Hayama, K. Takakura, T. Kudou, M. Yoneoka, A. Nishimura, H. Ohyama, A. Mercha, E. Simoen and C. Claeys,
    "Radiation tolerance in HfSiON gate MOSFETs by high-energy particles irradiation",
    Extended abstracts of the 24rd electronic materials symposium, pp. 95-96, 2005.,平成17年
  58. K. Matsuyama, K. Hayama, K. Takakura, M. Yoneoka, H. Ohyama, J. M. Raf?, A. Mercha, E. Simoen and C. Claeys,
    "Degradation of the Electrical Performance and Floating Body Effects in Thin Gate Oxide PD-SOI MOSFETs by 2-MeV Electron Irradiation",
    Extended abstracts of the 24rd electronic materials symposium, pp. 97-98, 2005.,平成17年
  59. T. Furuta, T. Nakashima, Y. Kiyota, K. Takakura, T. Kudou, K. Hayama and H. Ohyama,
    "Growth of Ga2O3 thin film on Si substrate by sputtering method",
    Extended abstracts of the 24rd electronic materials symposium, 2005.,平成17年
  60. K. Hayama, H. Ohyama, K. Takakura, J. M. Rafi, E. Simoen, A. Mercha and C. Claeys,
    "Degradation of drain current hysteresis in electron-irradiated FD-SOI MOSFETs with back accumulation mode operation",
    CD Proc. of International Conference on Electrical Engineering 2005 (ICEE2005), July 10-14, 2005, Kunming, China, ICEE-F0225, PS3-10.,平成17年
  61. K. Hayama, K. Takakura, H. Ohyama, J. M. Raf?, A. Mercha, E. Simoen, C. Claeys,
    "Difference of 2-MeV electron-irradiation- induced performance degradation in FD-SOI MOSFETs fabricated on ELTRAN and UNIBOND wafers",
    Proc. of Radiation Effects on Components and Systems, RADECS 2005, September 19-23, Cap d’Agde, France, (2005).,平成17年
  62. E. Simoen, K. Hayama, K. Takakura, A. Mercha, C. Claeys and H. Ohyama,
    "Floating Body/Floating well Effects in Deep Submicron MOSFETs at Liquid Nitrogen Temperature",
    proceedings of the 20th Symposium on Microelectronics and Devices (SBMICRO 2005), September 4-7, 2005, Florianopolis, Brazil, pp.455-463,平成17年
  63. K. Hayama, K. Takakura, M. Yoneoka, T. Kudou, K. Shigaki, H. Ohyama, E. Simoen, C. Claeys,
    "Dose rate dependence of performance degradation in npn Si bipolar transistor by 2-MeV electron irradiation",
    25th Electronic Materials Symposium (EMS-25), Extended abstracts of the 25th Electronic Materials Symposium, pp. 266-267, Izu-Nagaoka(Japan), 2006.,平成18年
  64. T. Yoshida, Y. Hinokuma, K. Imou, K. Takakura, T. Kudou, K. Hayama, H. Ohyama, Y. Kayamoto, M. Shibuya,
    "Effect of impurity addition into β-Ga2O3 thin film",
    25th Electronic Materials Symposium (EMS-25), Extended abstracts of the 25th Electronic Materials Symposium, pp. 282-283, Izu-Nagaoka(Japan), 2006.,平成18年
  65. R. Ueno, K. Takakura, K. Hayama, T. Kudou, H. Ohyama, M. Nakabayashi,
    "Evaluation of electron irradiated IGBTs by DLTS",
    25th Electronic Materials Symposium (EMS-25), Extended abstracts of the 25th Electronic Materials Symposium, pp. 88-91, Izu-Nagaoka(Japan), 2006.,平成18年
  66. Y. Aoki, K. Takakura, K. Hayama, T. Kudou, K. Shigaki, H. Ohyama, G. Eneman, E. Simoen, C. Claeys,
    "Evaluation of MOSFETs with strained Si channel layer",
    25th Electronic Materials Symposium (EMS-25), Extended abstracts of the 25th Electronic Materials Symposium, pp. 86-97, Izu-Nagaoka (Japan), 2006.,平成18年
  67. K. Takakura, K. Furukawa, S. Kuroki, K. Hayama, T. Kudou, K. Shigaki, H. Ohyama, E. Simoen, C. Claeys,
    "Evaluation of MOSFETs with strained Si channel layer",
    11th International Conference on Defects: Recognization Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XI), Abstaracts of DRIP XI, p.101, Beijing, (China), 2006. ,平成18年
  68. K. Hayama, K. Takakura, H. Ohyama, A. Mercha, E. Simoen, C. Claeys,
    "Radiation response of HfSiON MOSFETs after high-energy particle irradiation",
    Proceeding of International conference on Electrical Engineering ICEE 2006, PS2-OR5(CD).,平成18年
  69. K. Hayama, H. Ohyama, K. Takakura, T. Kudou, K. Shigaki, J. M. Raf?, A. Mercha, E. Simoen, C. Claeys,
    "Carrier lifetime analysis in thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs by gate-induced drain current transients",
    Prceedings of 6th International Conference on Materials for Microelectronics and Nanoengineering-MFMN 2006, pp.150-153.,平成18年
  70. K. Takakura, T. Kudou, K. Hayama, K. Shigaki amd H. Ohyama,
    "Optical property and crystallinities of Si and Ge added ?-Ga2O3 thin films",
    Prceedings of 6th International Conference on Materials for Microelectronics and Nanoengineering-MFMN 2006, pp.138-141.,平成18年
  71. K. Hayama, K. Takakura, H. Ohyama, J. M. Raf?, A. Mercha, E. Simoen, C. Claeys,
    "Technique to estimate the effective parasitic capacitance in SOI MOSFETs based on drain current transients",
    Proceedings of EUROSOI 2007, January 24-26, 2007, Leuven, Belgium, pp. 25-26.,平成19年
  72. J. M. Raf?, E. Simoen, A. Mercha, N. Collaert, K. Hayama, F. Campabadal, C. Claeys,
    "Gate Induced Floating Body Effects in SiON and HfO2 Triple Gate SOI FinFETs",
    Proceedings of EUROSOI 2007, January 24-26, 2007, Leuven, Belgium, pp. 36-37.,平成19年
  73. K. Hayama, T. Matsumoto, Y. Shimada,
    "Design and implementation of emulator on FPGA",
    Proceedings of International Conference on Mechatronics, Kumamoto, Japan, 8-10 May, 2007, ThM1-A-2, pp.1-5.,平成19年
  74. H. Ohyama, E. Simoen, K. Takakura, K. Hayama, C. Claeys, S. Kuboyama, T. Matshumoto,
    "Study on Radiation Damages of GaAlAs LEDs",
    Proceeding of International conference on Electrical Engineering ICEE 2007, ICEE-050(CD).,平成19年
  75. K. Hayama, K. Takakura, M. Yoneoka, H. Ohyama, E. Simoen, A. Mercha, C. Claeys,
    "Dose rate dependence of performance degradation in npn Si bipolar transistor by 2-MeV electron irradiation",
    Proceeding of International conference on Electrical Engineering ICEE 2007, ICEE-493(CD).,平成19年
  76. K. Takakura, Y. Aoki, K.Hayama, H. Ohyama, E. Simoen,C. Claeys,
    "Electrical properties of strained Si MOSFETs by high-fluence electron-irradiation",
    , Abstracts of 12th Inter national Conference on Defects-Recognition,Imaging & Physics in Semiconductors (DRIP XII),p.107,Berlin (Germany).,平成19年
  77. K.Hayama, K. Takakura, E.Simoen,A.Mercha,H. Ohyama, C.Claeys,
    "Difference of 2-MeV electron-irradiationinduced performance degradation in FD-SOI MOSFETs fabricated on ELTRAN and UNIBOND wafers",
    PROCEEDINGS of the 8th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, PF3-1-PF3-6, 2007.,平成19年
  78. T. Tabata, K. Shibasato, K. Hayama,
    "New Career Education Programs for Students of the Lower Years",
    International Symposium on Advances in Technology Education 2007(SATE2007),Proceedings of SATE,singapore, Sept. 2007.,平成19年
  79. K.Hayama, K. Takakura, E.Simoen, A.Mercha,H. Ohyama, C.Claeys,
    "Proton irradiation effect in strained Si n-MOSFETs",
    2007 Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments, Oct. 4-6, 2007, Busan, Korea.,平成19年
  80. J.M. Raf?,C.Boulord,K. Hayama,, H. Ohyama, F.Campabadal,G.Pellegrini,M.Lozano, E.Simoen,C.Claeys,
    "Radiation damage in proton-irradiated strained Si n-MOSFETs",
    Summary of 8th International Conference on PositionSensitive Detectors, (PSD 2008),Sept.1-5,2008,Glasgow(UK).,平成20年
  81. K.Hayama, K. Takakura, T. Kudou, E.Simoen, A.Mercha,T. Ohtani, H. Ohyama, C. Claeys,
    "Radiation damage in proton-irradiated strained Si n-MOSFETs",
    CD Proceedings of E-MRS 2008 Spring Meeting, Congress Center, Strasbourg, France, May 26-30, 2008, symposium J-6. ,平成20年
  82. T. Koga, K. Takakura, T.Kudou,K.Hayama, M.Yoneoka,H.Ohyama,Y.Kayamoto, M.Shibuya,
    "Evaluation for resistivities of electron irradiated β-Ga2O3",
    Extended Abstracts of 28th electronic Materials Symposium EMS-28, pp.107-108, 2008.,平成20年
  83. J.M.Raf?, C.Boulord,G.Pellegrini.M.Lozano, K. Hayama, H. Ohyama,F. Campabadal, E.Simoen, C.Claeys,
    "Degradation of High Resistivity Float Zone and Magnetic Czochralski N‐type Silicon Detectors subjected to 2‐MeV Electron Irradiation",
    Summary of 8th International Conference on Position Sensitive Detectors, (PSD 2008), Glasgow, UK, Sept. 1-5, 2008.,平成20年
  84. K.Hayama, K. Takakura, H. Ohyama, S. Kuboyama, A.Mercha,E. Simoen,C. Claeys,M. Motoki, K. Matsuo,
    "Radiation damage of Ge on Si devices",
    Proceeding of E-MRS 2008 Spring Meeting, Congress center Strasbourg France, May 26-30, 2008 19, pp. symposium J-6.,平成20年
  85. K. Hayama, T. Matsumoto and Y. Shimada, , ,
    "Challenge to apply PBL to Hardware Logic Design",
    2nd Int. Sympo. On Advances in Technology Education (ISATE 2008), 2008, 9-11 September 2008, Mielparque-Kumamoto, Kumamoto Japan.,平成20年
  86. K. Hayama, T. Matsumoto ,
    "Practice of creativity Education by the subject of micromouse competition",
    CD proceedings of 8th IFAC Symposium on Advances Control in Education (ACE 2009), 2009, 21-23 Oct., Kumamoto Japan.,平成21年
  87. Kiyoteru Hayama, Takaaki Ishibashi, Chiharu Okuma, Hiromu Gotanda,
    "Implementation of Directional Characteristics by Real-time Processing of Sounds Observed by Two Microphones",
    Tenth International Conference on Innovative Computing, Information and Control (ICICIC2015), ICICIC2015-560 ,平成27年
  88. Takaaki Ishibashi, Kohei Fujimori, Hirohito Shintani, Chiharu Okuma, Kiyoteru Hayama and Hiromu Gotanda,
    "Blind Source Separation without Scaling Indeterminacy Using Amplitude Ratio of Observed Signals",
    Tenth International Conference on Innovative Computing, Information and Control (ICICIC2015), ICICIC2015-555,平成27年
  89. Rion Yamada and Kiyoteru Hayama,
    "Development of Micromouse for Education Using mbed Platform",
    Tenth International Conference on Innovative Computing, Information and Control (ICICIC2015), ICICIC2015-316,平成27年
  90. T. Ishibashi, Y. Oshiro, H. Shintani, M. Motoki, K. Hayama, H. Ohtsuka,
    "Low-cost EMG measurement device for hands-free wheelchair control",
    Proc. of SICE division of Life Engineering 2015 (LE2015) , 1B1-2,平成27年
  91. C. Okuma, T. Ishibashi, K. Hayama, H. Gotanda,
    "Variable arbitrary directional characteristic pattern and its application to two-channel microphone system",
    Proc. of SICE division of Life Engineering 2015 (LE2015) , 2B2-2,平成27年
  92. M. Motoki, H. Shintani, T. Ishibashi, K. Hayama, H. Koga,
    "A simple device for response time measurement of patellar tendon reflex by using gyro sensors and microcontroller",
    Proc. of SICE division of Life Engineering 2015 (LE2015) , 3B2-4.,平成27年
  93. Kiyoteru Hayama, Takaaki Ishibashi, Hirohito Shintani, Minoru Motoki, Hiromu Gotanda,
    "Implementation of Directional Characteristics by Real-time Processing of Sounds Observed by Three Microphones",
    The 3rd IEEE/IIAE International Conference on Intelligent Systems and Imge Processing 2015(ICISIP 2015), GS10-1.,平成27年
  94. 山内将護(専攻科)、葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "Trial production of rotational aircraft aiming at weather survey",
    Fourth International Symposium on Technology for Sustainability (ISTS2014), (2014.11),平成26年11月

国内学会等発表

  1. 葉山清輝, 入江博樹,
    "有線給電型マルチコプターの自律ホバリング",
    ロボティクス・メカトロニクス講演会2016 in Yokohama,平成28年6月
  2. 葉山清輝, 入江博樹,
    "有線給電型マルチコプターの長時間飛行の検討",
    平成27年度(第68回)電気・情報関係学会九州支部連合大会講演論文集, 02-1P-05,平成27年9月
  3. 上原雄大,葉山清輝, 入江博樹,
    "先鋭電極のコロナ放電を利用したイオン風向風速計",
    第23回電子情報通信学会九州支部学生会講演会論文集, , C-31,平成27年9月
  4. 木下拳汰,八浪智大,葉山清輝, 入江博樹,
    "有線給電マルチコプターの自律ホバリングの研究",
    第23回電子情報通信学会九州支部学生会講演会論文集, B-16,平成27年9月
  5. 八浪智大,木下拳汰,葉山清輝, 入江博樹,
    "画像認識誘導によるマルチコプターの自律飛行制御",
    第23回電子情報通信学会九州支部学生会講演会論文集,, B-15,平成27年9月
  6. 葉山清輝,
    "ドローン(無人航空機)の可能性の検証について",
    第22回複数企業産学相談会・ラウンドテーブル、熊本市, ,2015年7月
  7. 葉山清輝,入江博樹,
    "トライコプターをもとにした垂直離着陸機の試作",
    ロボティクス・メカトロニクス講演会2015 in Kyoto, 2015年5月, 2A1-F01,平成27年5月
  8. 大山英典,葉山清輝,根本邦治,,
    "電子線照射n形Siにおける導入欠陥の焼鈍特性",
    第34回応用物理学会関連連合講演会,1987年.,昭和62年
  9. 澤田和明,葉山清輝,石田誠,壽崎哲夫,中村哲郎,,
    "ガスソースMBEを用いたSOS低温エピタキシャル成長",
    第36回応用物理学会関連連合講演会,1989年.,平成元年
  10. 葉山清輝,澤田和明,石田誠,壽崎哲夫,中村哲郎,,
    "TMAとO2を用いたMOMBE法によるAl2O3/Siの成長",
    第51回応用物理学会学術講演会,1990年.,平成3年
  11. 正義彦,東野徹,葉山清輝,壽崎哲夫,石田誠,中村哲郎,,
    "ハイブリッド成長法によるエピタキシャルAl2O3/Siの形成",
    第38回応用物理学会関連連合講演会,1991年.,平成4年
  12. 葉山清輝,徳山順也,田中秀和,大山英典,,
    "電子線照射による演算増幅器の劣化",
    平成3年度応用物理学会九州支部学術講演会,1991年.,平成4年
  13. 廣田和之,葉山清輝,石田誠,壽崎哲夫,中村哲郎,,
    "活性酸素とTMAを用いたAl2O3/Siのエピタキシャル成長",
    第53回応用物理学会学術講演会,1992年.,平成5年
  14. 葉山清輝,徳山順也,大山英典,佐々木博文,,
    "演算増幅器の電子線損傷機構",
    第6回熊本県産学官技術交流会,1992年.,平成5年
  15. 葉山清輝,井口晃敏,石田誠,壽崎哲夫,中村哲郎,,
    " Al2O3/Siエピタキシャル成長における活性酸素の炭素汚染除去効果",
    第40回応用物理学関係連合講演会,1993年.,平成6年
  16. 葉山清輝,東郡徹爾,石田誠,中村哲郎,,
    " Al2O3/Siヘテロエピタキシャル成長における界面制御の効果",
    第54回応用物理学会学術講演会,1993年.,平成6年
  17. 工藤友裕,徳山順也,大山英典,葉山清輝,佐々木博文,須永博美,岡本次郎,,
    "演算増幅器への電子線照射",
    第7回熊本県産学官技術交流会,1993年.,平成6年
  18. 東郡徹爾,葉山清輝,金田直久,石田誠,中村哲郎,,
    "Si酸化初期過程における酸素ラジカルの効果",
    第41回応用物理学関係連合講演会,1994年.,平成7年
  19. 葉山清輝,大山英典,一星佳子,徳淵雅之,J. Vanhellemont,,
    "Si1-xGexダイオードの電子線照射損傷",
    平成6年度応用物理学会九州支部講演会,1994年.,平成7年
  20. 大山英典,葉山清輝,高倉健一郎,松本廣太郎,本田千尋,飯銅 剛,佐藤桂一,J. Vanhellemont,,
    "電子線照射Si1-xGexエピタキシャル層中の導入格子欠陥",
    平成6年度応用物理学会九州支部講演会,1994年.,平成7年
  21. 葉山清輝,金田直久,東郡徹爾,石田誠,
    "ジメチルエチルアミンアランを用いたSi基板上へのAlのヘテロエピタキシャル成長",
    第42回応用物理学関係連合講演会,1995年.,平成8年
  22. 葉山清輝,東郡徹爾,石田誠,
    "ジメチルエチルアミンアランを用いたSi基板上へのAl2O3膜のヘテロエピタキシャル成長",
    第56回応用物理学会学術講演会,1995年.,平成8年
  23. 大山英典,葉山清輝,一星佳子,徳淵雅之,高倉健一郎,松本廣太郎,本田千尋,飯銅 剛,佐藤桂一,J. Vanhellemont,,
    "SiGeデバイスの放射線損傷",
    第9回熊本県産学官技術交流会,1995年.,平成8年
  24. 葉山清輝,大山英典,池邊文子,妹尾巨介,徳山順也,須永博美,,
    "オペアンプを用いた回路の電子線損傷",
    第9回熊本県産学官技術交流会,1995年.,平成8年
  25. 葉山清輝,大山英典,須永博美,J. Vanhellemont,,
    "Si1-xGexダイオードの電子線照射による劣化",
    第42回応用物理学関係連合講演会,1995年.,平成8年
  26. 葉山清輝,大山英典,高見保清,J. Vanhellemont,,
    "Si1-xGexダイオードの中性子線照射による劣化",
    第56回応用物理学会学術講演会,1995年.,平成8年
  27. 葉山清輝,大山英典,高見保清,J.Vanhellemont,,
    "Si1-xGexデバイスの放射線損傷とその熱処理効果",
    電気関係学会九州支部第48回連合大会,1995年.,平成8年
  28. 小材裕二,葉山清輝,大山英典,,
    "Siダイオードの放射線照射による劣化",
    第3回電子情報通信学会学生大会九州支部講演会,1995年.,平成8年
  29. 宮崎勝,葉山清輝,大山英典,,
    "SiGeダイオードの放射線照射による劣化",
    第3回電子情報通信学会学生大会九州支部講演会,1995年.,平成8年
  30. 平川明子,大島夕子,葉山清輝,大山英典,,
    "電子線照射演算増幅器の特性劣化メカニズム",
    第3回電子情報通信学会学生大会九州支部講演会,1995年.,平成8年
  31. 葉山清輝,大山英典,高見保清,J. Vanhellemont,,
    "Si1-xGexデバイスの放射線損傷とその熱処理効果",
    平成7年度電気関係学会九州支部連合大会,1995年.,平成8年
  32. 小林一博,葉山清輝,大山英典,須永博美,高見保清,J. Vanhellemont,,
    "Siダイオードの照射損傷と基板依存性",
    平成7年度電気関係学会九州支部連合大会,1995年.,平成8年
  33. 小林一博,葉山清輝,大山英典,須永博美,高見保清,J. Vanhellemont,E. Simoen,,
    "Siダイオードの照射損傷",
    平成7年度応用物理学会九州支部講演会,1995年.,平成8年
  34. 長田英俊,博多哲也,大山英典,葉山清輝,徳山順也,高見保清,須永博美,,
    "演算増幅器の放射線損傷とその線源依存性",
    平成7年度応用物理学会九州支部講演会,1995年.,平成8年
  35. 博多哲也,葉山清輝,大山英典,徳山順也,小原隆憲,高見保清,,
    "D/Aコンバータへの中性子線照射効果",
    平成7年度応用物理学会九州支部講演会,1995年.,平成8年
  36. 落合将伸,久島務,葉山清輝,大山英典,石田誠,,
    "反応性スパッタリングによるAl2O3/Siのヘテロエピタキシャル成長",
    平成8年度応用物理学会九州支部講演会,1996年.,平成9年
  37. 博多哲也,小原隆憲,大山英典,葉山清輝,徳山順也,,
    "アナログICの耐環境試験",
    第10回熊本県産学官技術交流会,1996年.,平成9年
  38. 小林一博,葉山清輝,大山英典,須永博美,高見保清,J. Vanhellemont,E. Simoen,,
    "Siの放射線損傷",
    第10回熊本県産学官技術交流会,1996年.,平成9年
  39. 森川剛,葉山清輝,大山英典,須永博美,J. Vanhellemont,,
    "Si1-xGexデバイスの放射線損傷とその回復機構",
    第43回応用物理学関係連合講演会,1996年.,平成9年
  40. 菊川俊,工藤友裕,葉山清輝,大山英典,高見保清,須永博美,古曳重美,,
    "InGaAsフォトダイオードの放射線損傷",
    第43回応用物理学関係連合講演会,1996年.,平成9年
  41. 小林一博,葉山清輝,大山英典,須永博美,高見保清,J. Vanhellemont,E. Simoen,,
    "Siダイオードの放射線損傷に及ぼす基板依存性",
    第43回応用物理学関係連合講演会,1996年.,平成9年
  42. 博多哲也,葉山清輝,大山英典,高見保清,須永博美,,
    "演算増幅器の放射線損傷",
    第43回応用物理学関係連合講演会,1996年.,平成9年
  43. 中村信義,原田武,工藤友裕,葉山清輝,大山英典,高見保清,古曳重美,,
    "中性子線照射InGaAsフォトダイオードの熱処理効果",
    第57回応用物理学会学術講演会,1996年.,平成9年
  44. 角田功,吉永哲司,徳山順也,博多哲也,葉山清輝,高見保清,須永博美,大山英典,,
    "放射線照射演算増幅器の熱処理効果",
    第57回応用物理学会学術講演会,1996年.,平成9年
  45. 藤原大輔,守田誠,出口勝治郎,田呂丸智,葉山清輝,大山英典,高見保清,須永博美,,
    " Si1-xGex ダイオードの陽子線照射損傷",
    第57回応用物理学会学術講演会,1996年.,平成9年
  46. 小林一博,葉山清輝,大山英典,須永博美,J. Vanhellemont,,
    "Siダイオードの放射線損傷に及ぼす基板依存性(その2)",
    第57回応用物理学会学術講演会,1996年.,平成9年
  47. 葉山清輝,藤原大輔,出口勝治郎,大山英典,高見保清,J. Vanhellemont,,
    " Si1-xGexデバイスの陽子線損傷とその熱処理効果",
    平成8年度電気関係学会九州支部連合会大会,1996年.,平成9年
  48. 小林一博,牧徹,葉山清輝,大山英典,須永博美,J. Vanhellemont,,
    "Siダイオードの照射損傷と基板依存性(その2)",
    平成8年度電気関係学会九州支部連合会大会,1996年.,平成9年
  49. 小林一博,成瀬辰也,葉山清輝,大山英典,須永博美,,
    "Siゲートダイオードの照射損傷",
    平成8年度応用物理学会九州支部講演会,1996年.,平成9年
  50. 吉永哲司,博多哲也,葉山清輝,工藤友裕,大山英典,徳山順也,,
    "演算増幅器の中性子損傷とその線源依存性",
    平成8年度応用物理学会九州支部講演会,1996年.,平成9年
  51. 出口勝治郎,葉山清輝,大山英典,,
    "陽子線照射Si1-xGexデバイスの熱処理効果",
    平成8年度応用物理学会九州支部講演会,1996年.,平成9年
  52. 原田武,工藤友裕,葉山清輝,大山英典,古曳重美,,
    "InGaAsフォトダイオード損傷の線源依存性",
    平成8年度応用物理学会九州支部講演会,1996年.,平成9年
  53. 大山英典,徳山順也,葉山清輝,工藤友裕,博多哲也,,
    "熊本電波高専におけるIC研究の現状",
    第11回熊本県産学官技術交流会,1997年.,平成10年
  54. 小林一博,原純一郎,葉山清輝,大山英典,須永博美,E. Simoen,,
    "Siダイオードの放射線損傷に関する一考察",
    第11回熊本県産学官技術交流会,1997年.,平成10年
  55. 小林一博,葉山清輝,大山英典,須永博美,E. Simoen,,
    "Siゲート制御型ダイオードの陽子線損傷の基板依存性",
    第44回応用物理学関係連合講演会,1997年.,平成10年
  56. 葉山清輝,大山英典,石田誠,,
    "マグネトロンスパッタ法によるSi基板上へのAl2O3膜のヘテロエピタキシャル成長",
    第44回応用物理学関係連合講演会,1997年.,平成10年
  57. 博多哲也,大山英典,葉山清輝,須永博美,梨山勇,高見保清,,
    "HEMTの放射線損傷",
    第44回応用物理学関係連合講演会,1997年.,平成10年
  58. 葉山清輝,大山英典,高見保清,須永博美,E. Simoen,,
    " Si1-xGexデバイスの照射損傷の線源依存性",
    第44回応用物理学関係連合講演会,1997年.,平成10年
  59. 工藤友裕,中村信義,原田武,葉山清輝,大山英典,高見保清,藤井淳浩,,
    "InGaAsフォトダイオードの放射線照射導入欠陥",
    第44回応用物理学関係連合講演会,1997年.,平成10年
  60. 田中健太郎,博多哲也,葉山清輝,大山英典,宮原邦幸,細島睦弘,,
    "Siアバランシ・フォトダイオードの中性子線放射線損傷",
    平成9年度応用物理学会九州支部講演会,1997年.,平成10年
  61. 福井裕也,葉山清輝,大山英典,,
    "リーク電流補償回路を負荷したCMOSICの放射線損傷とその熱処理効果",
    平成9年度応用物理学会九州支部講演会,1997年.,平成10年
  62. 平松 愛,葉山清輝,徳山順也,大山英典,高見保清,,
    " Si1-xGexデバイスのα線照射損傷",
    平成9年度応用物理学会九州支部講演会,1997年.,平成10年
  63. 井芹 敦,工藤友裕,大山英典,葉山清輝,須永博美,藤井淳浩,,
    "InGaAsフォトダイオードの220MeV炭素イオン照射損傷",
    平成9年度応用物理学会九州支部講演会,1997年.,平成10年
  64. 西 慎也,博多哲也,葉山清輝,大山英典,紫垣一貞,宮原邦幸,,
    "SIMOX基板上のMOSFETの放射線損傷",
    平成9年度応用物理学会九州支部講演会,1997年.,平成10年
  65. 永山誠,葉山清輝,大山英典,水野健太朗,,
    "リーク電流補償回路を負荷したCMOSICの耐放射線性強化",
    第12回熊本県産学官技術交流会,1998年.,平成11年
  66. 大山英典,葉山清輝,工藤友裕,博多哲也,紫垣一貞,徳山順也,,
    "熊本電波高専 半導体研究グループの対外活動",
    第12回熊本県産学官技術交流会,1998年.,平成11年
  67. 葉山清輝,大山英典,須永博美,水野健太朗,,
    "リーク電流補償回路によるCMOSICの耐放射線性強化",
    第45回応用物理学関係連合講演会,1998年.,平成11年
  68. 工藤友裕,大山英典,葉山清輝,須永博美,藤井淳浩,,
    "InGaAsフォトダイオードの高エネルギー放射線損傷",
    平成10年度応用物理学会九州支部講演会,1998年.,平成11年
  69. 戸田康夫,葉山清輝,工藤友裕,大山英典,,
    "反応性スパッタリングによるAl2O3/Si成長における予備層の効果",
    平成10年度応用物理学会九州支部講演会,1998年.,平成11年
  70. 大山英典,葉山清輝,工藤友裕,博多哲也,紫垣一貞,米岡将士,徳山順也,,
    "宇宙用半導体デバイスの放射線損傷",
    第13回熊本県産学官技術交流会,1999年.,平成12年
  71. 信田紀子,葉山清輝,大山英典,,
    "反応性スパッタリングによるAl2O3/Si成長における予備層の効果",
    第13回熊本県産学官技術交流会,1999年.,平成12年
  72. 桑波謙史,松田豊稔,西山英治,葉山清輝,,
    "アンテナの電流分布を視覚化する教育用実験装置の開発",
    第13回熊本県産学官技術交流会,1999年.,平成12年
  73. 葉山清輝,大山英典,高見保清,水野健太朗,,
    "中性子照射CMOS-ICのリーク電流補償の効果",
    第46回応用物理学関係連合講演会,1999年.,平成12年
  74. 博多哲也,大山英典,葉山清輝,宮原邦幸,,
    " Si1-xGexダイオードの高エネルギー粒子線損傷",
    第46回応用物理学関係連合講演会,1999年.,平成12年
  75. 工藤友裕,大山英典,葉山清輝,徳山順也,藤井淳浩,,
    "中性子照射CMOS-ICのリーク電流補償の効果",
    第46回応用物理学関係連合講演会,1999年.,平成12年
  76. 中山真次,葉山清輝,大山英典,,
    "リーク電流補償回路を付加したアナログCMOSICの中性子線損傷",
    第7回電子情報通信学会九州支部学生会講演会,1999年.,平成12年
  77. 博多哲也,大山英典,葉山清輝,徳山順也,宮原邦幸,,
    "AlGaAs/GaAs p-HEMTの高エネルギー粒子線損傷",
    第60回応用物理学会学術講演会,1999年.,平成12年
  78. 工藤友裕,大山英典,葉山清輝,徳山順也,藤井淳浩,高見保清,,
    "1.3μmInGaAsPレーザーダイオードの中性子線損傷",
    第60回応用物理学会学術講演会,1999年.,平成12年
  79. 米岡将士,葉山清輝,大山英典,E. Simoen,C. Claeys,,
    "STI(Shallow Trench Isolation)ダイオードの照射損傷",
    平成11年度応用物理学会九州支部講演会,1999年.,平成12年
  80. 米岡将士,葉山清輝,大山英典,小林一博,高見保清,滝澤春善,,
    "STI(Shallow Trench Isolation)ダイオードの放射線損傷",
    第47回応用物理学関係連合講演会, 2000年.,平成13年
  81. 大山英典,葉山清輝,工藤友裕,博多哲也,紫垣一貞,米岡将士,徳山順也,,
    "宇宙環境半導体デバイスの開発",
    第14回熊本県産学官技術交流会,2000年.,平成13年
  82. 米岡将士,葉山清輝,大山英典,,
    "STI(Shallow Trench Isolation)ダイオードの照射損傷",
    第14回熊本県産学官技術交流会,2000年.,平成13年
  83. 原田雄介,博多哲也,新貝秀雄,田口泰幸,葉山清輝,大山英典,,
    "Windows環境における半導体自動計測システムの構築",
    第14回熊本県産学官技術交流会,2000年.,平成13年
  84. 三浦 隆,葉山清輝,大山英典,E. Simoen,C. Claeys,,
    "STIダイオードの照射導入欠陥",
    平成12年度応用物理学会九州支部講演会,2000年.,平成13年
  85. 田中敬史,葉山清輝,中林正和,大山英典,,
    "ポリシリコン抵抗の放射線損傷",
    平成12年度応用物理学会九州支部講演会,2000年.,平成13年
  86. 葉山清輝,三浦 隆,大山英典,E. Simoen,C. Claeys,,
    "STI(Shallow Trench Isolation)ダイオードの照射導入欠陥",
    第48回応用物理学関係連合講演会,2001年.,平成14年
  87. 葉山清輝,大山英典,E. Simoen,C. Claeys,,
    "STIダイオードの放射線損傷~熊本電波高専とIMEC(ベルギー)の国際共同研究~",
    第15回熊本県産学官技術交流会,2001年.,平成14年
  88. 山下義幸,竹下英一,中林正和,大山英典,葉山清輝,大瀬戸淳士,荒川貴浩,,
    "MOSキャパシタの信頼性に関する研究",
    第15回熊本県産学官技術交流会,2001年.,平成14年
  89. 三浦隆,葉山清輝,大山英典,E. Simoen,C. Claeys,,
    "STIダイオードの照射導入欠陥",
    平成13年度応用物理学会九州支部講演会,2001年.,平成14年
  90. 上田麻美,大山英典,中林正和,葉山清輝,小林一博,,
    "BiCOMSプロセスによるn-MOSFETの放射線損傷",
    平成13年度応用物理学会九州支部講演会,2001年.,平成14年
  91. 葉山清輝,大山英典,中川重康,仲野巧,所哲郎,山口利幸,,
    "熊本電波高専における太陽光発電",
    第16回熊本県産学官技術交流会講演論文集(2002)pp.234-235.,平成15年
  92. 大山英典,徳山順也,紫垣一貞,葉山清輝,工藤友裕,博多哲也,米岡将士,,
    "国際共同研究を通した地場企業の活性化",
    第16回熊本県産学官技術交流会論文集,2002年.,平成15年
  93. 葉山清輝,大山英典,E. Simoen,C. Claeys,,
    "MOSFETの電子線による高温照射損傷",
    第49回応用物理学関係連合講演会,2002年.,平成15年
  94. 葉山清輝,大山英典,中川重康,仲野 巧,所 哲郎,山口利幸,,
    "九州気候区の高専における太陽光発電",
    平成14年電気関係学会九州支部連合大会講演論文集(2002)p.71.,平成15年
  95. 高倉健一郎,上田麻美,大山英典,中林正和,葉山清輝,小林一博,E. Simoen,C. Claeys,,
    "BiCMOSプロセスにより作製したn-MOSFETの陽子線,γ線照射効果",
    第63回秋期応用物理学会学術講演会,2002年.,平成15年
  96. 高倉健一郎,大山英典,上田麻美,中林正和,葉山清輝,小林一博,E. Simoen,C. Claeys,,
    "陽子線照射MOSFETの熱処理による回復過程",
    平成14年度応用物理学会九州支部講演会, 2002年.,平成15年
  97. 葉山清輝,高倉健一郎,大山英典, E. Simoen,C. Claeys,,
    "微細MOSFETの電子線による高温照射損傷",
    平成14年度応用物理学会九州支部講演会,2002年.,平成15年
  98. 中川重康,所哲郎,仲野巧,葉山清輝,大山英典,山口利幸,,
    "39高専に設置された太陽光発電設備データベース",
    平成14年度高専教育講演論文集(2002)pp.81-82.,平成15年
  99. 大山英典,西山恵介,高倉健一郎,葉山清輝,,
    "宇宙用Siトランジスタの高性能化",
    第17回熊本県産学官技術交流会論文集,2003年.,平成16年
  100. 山本伸城,葉山清輝,紫垣一貞,高倉健一郎,大山英典,,
    "サブ0.1μmMOSFETの照射損傷",
    第17回熊本県産学官技術交流会論文集,2003年.,平成16年
  101. 高倉健一郎,大山英典,松岡宏之,葉山清輝, E. Simoen,C. Claeys,,
    "Siフォトダイオードへの放射線高温照射による損傷係数",
    第50回応用物理学関係連合講演会,2003年.,平成16年
  102. 葉山清輝,高倉健一郎,大山英典,E. Simoen,C. Claeys,,
    "電子線高温照射したMOSFETの熱処理効果",
    第50回応用物理学関係連合講演会,2003年.,平成16年
  103. 山口利幸,中川重康,所哲郎,仲野巧,大山英典,葉山清輝,,
    "高専間連携の一形態-科研費による共同研究の実施",
    平成15年度高専教育講演論文集(2003)pp.125-126.,平成16年
  104. M. Nakashima, T. Yamaguchi, S. Nakagawa, T. Tokoro, T. Nakano, K. Hayama and H. Ohyama,,
    "Data Analysis on Performance of PV Systems installed at 39 National Colleges of Technology",
    平成15年電気関係学会関西支部連合大会講演論文集(2003)G6-13, p.G126.,平成16年
  105. 山口 利幸,中川重康,所哲郎,仲野巧,葉山清輝,大山英典,,
    "北面設置された太陽電池モジュールによる発電特性の検討",
    日本太陽エネルギー学会・日本風力エネルギー協会合同研究発表会:太陽/風力エネルギー講演論文集 (2003) D4-100, pp.409-412.,平成16年
  106. 山口 利幸,中嶋正裕,中川重康,所哲郎,仲野巧,葉山清輝,大山英典,,
    "国立高専に設置された太陽光発電システムの発電特性",
    日本太陽エネルギー学会・日本風力エネルギー協会合同研究発表会:太陽/風力エネルギー講演論文集 (2003) D4-101, pp.413-416.,平成16年
  107. 高倉健一郎,大山英典,葉山清輝,中林正和,E.Simoen,C.Claeys,,
    "陽子線照射MOSFETにおける特性劣化と回復機構",
    第3回半導体の放射線照射効果研究会,2003年.,平成16年
  108. K. Hayama, K. Takakura, H. Ohyama, J. M. Raf?, A. Mercha, E. Simoen, and C. Claeys,
    "Physics of the floating body effects in FD-SOI n-MOSFETs at liquid nitrogen temperature",
    Belgian Physical Society International Scientific Meeting 2004, UNIVERSIT DE MONS-HAINAUT, 25 and 26 May 2004.,平成16年
  109. 高倉健一郎,大山英典,葉山清輝,中林正和,E. Simoen,C. Claeys,,
    "電子線高温照射によるInGaAsフォトダイオードの劣化機構",
    平成15年度応用物理学会九州支部講演会,2003年.,平成16年
  110. 西村昭博,葉山清輝,高倉健一郎,大山英典,E.Simoen,C.Claeys,,
    "薄膜ゲートを有するFD-SOI n-MOSFETの陽子線照射による電気的特性劣化",
    平成16年度応用物理学会九州支部講演会,2004年.,平成16年
  111. 葉山清輝,高倉健一郎,大山英典,E.Simoen, C.Claeys,,
    "背面に蓄積層を形成した薄膜ゲートFD-SOI n-MOSFETのボディ電位推定",
    平成16年度応用物理学会九州支部講演会,2004年.,平成16年
  112. 高倉健一郎,中島敏之,清田義彦,古田稔貴,工藤友裕,葉山清輝,大山英典,萱本良雄,渋谷睦夫,
    "スパッタ法によるβ-Ga2O3薄膜の成長",
    平成16年度応用物理学会九州支部講演会,2004年.,平成16年
  113. 松山幸司,葉山清輝,大山英典,,
    "0.1μm PD-SOI MOSFET の照射損傷",
    第3回電子情報系高専フォーラム,2004年.,平成16年
  114. 高倉健一郎,中島敏之,清田義彦,古田稔貴,工藤友裕,葉山清輝,大山英典,萱本良雄,渋谷睦夫,
    "スパッタ法によるβ-Ga2O3薄膜の作製",
    第19回熊本県産学官技術交流会論文集,2005年.,平成17年
  115. 本村健,本村唱,葉山清輝,工藤友裕,大山英典,,
    "猛禽類の生態調査における電波技術に関する共同研究紹介",
    第19回熊本県産学官技術交流会論文集,2005年.,平成17年
  116. 葉山清輝,大山英典,高倉健一郎,米岡将士,E.Simoen, C.Claeys,,
    " 薄膜ゲートを有するFD-SOI n-MOSFETの陽子線照射による特性劣化",
    第5回半導体の放射線照射効果研究会,2005年.,平成17年
  117. 高倉健一郎,渡邊崇浩,葉山清輝,中林正和,E.Simoen, C.Claeys,大山英典,,
    " SiCショットキーダイオードの電子線照射損傷",
    第5回半導体の放射線照射効果研究会,2005年.,平成17年
  118. 中島敏之,高倉健一郎,古田稔貴,清田義彦,工藤友裕,葉山清輝,大山英典,
    "不純物を添加したβ-Ga2O3の光吸収特性",
    平成17年度応用物理学会九州支部講演会,2005年.,平成17年
  119. 葉山清輝,
    "NSREC2005 Si系デバイスのトータルドーズ効果に関する報告",
    第6回半導体の放射線照射効果研究会,日本原子力研究開発機構(JAXA),2005年.,平成17年
  120. 葉山清輝,
    "高温電子線照射による半導体デバイスの損傷",
    第16回高温エレクトロニクス研究会,JAXA(宇宙科学研究本部),pp.93-111,2005年.,平成17年
  121. 高倉健一郎,中島敏之,清田義彦,古田稔貴,工藤友裕,葉山清輝,大山英典,
    "β-Ga2O3への不純物添加効果",
    第53回応用物理学関係連合講演会,2分冊p.693, 2005年.,平成17年
  122. 葉山清輝,高倉健一郎,紫垣一貞,大山英典, E.Simoen, C.Claeys,,
    " 薄膜ゲートを有するPD-SOI n-MOSFETの2MeV電子線による照射損傷",
    第53回応用物理学関係連合講演会,2分冊p.815, 2005年.,平成17年
  123. 高倉健一郎,中島敏之,清田義彦,古田稔貴,工藤友裕,葉山清輝,大山英典,
    "スパッタ法により作成したβ-Ga2O3膜の評価",
    第66回応用物理学会学術講演会,2分冊p.544, 2005年.,平成17年
  124. 岡田章吾,葉山清輝,高倉健一郎,大山英典,E.Simoen, C.Claeys,,
    "PD-SOI n-MOSFETのヒステリシス特性とバックゲートの界面準位",
    平成17年度応用物理学会九州支部講演会,2005年.,平成17年
  125. 中島敏之,高倉健一郎,古田稔貴,清田義彦,工藤友裕,葉山清輝,大山英典,
    "不純物を添加したβ-Ga2O3膜の光吸収特性",
    平成17年度応用物理学会九州支部講演会,2005年.,平成17年
  126. 上野隆二,高倉健一郎,葉山清輝,工藤友裕,中林正和,大山英典,,
    "電子線照射したIGBTのDLTSによる評価",
    第20回熊本県産学官技術交流会論文集,pp.220-221, 2006年.,平成18年
  127. 吉田智博,高倉健一郎,遠山奨,橋本元気,葉山清輝,大山英典,萱本良雄,渋谷睦夫,,
    "不純物を添加したβ-Ga2O3膜の光吸収特性",
    第20回熊本県産学官技術交流会論文集,pp.68-69, 2006年.,平成18年
  128. 青木雄也,高倉健一郎,葉山清輝,大山英典,E.Simoen, C.Claeys,,
    "歪Siをチャネル層としたMOSFETの特性評価",
    第20回熊本県産学官技術交流会論文集,pp.222-223, 2006年.,平成18年
  129. 大谷昂,葉山清輝,津々浦真弥,高倉健一郎,米岡将士,大山英典,E. Simoen,C. Claeys,,
    "npn Siバイポーラトランジスタの2MeV電子線損傷の線量率依存性",
    応用物理学会九州支部講演論文集第32巻,p19.,平成18年
  130. 葉山清輝,岩村義明,濱幸宣,高倉健一郎,米岡将士,大山英典,E. Simoen,C. Claeys,,
    "PD-SOIMOSFETの2MeV電子線による損傷の線量率依存性",
    応用物理学会九州支部講演論文集第32巻,p135.,平成18年
  131. 葉山清輝,高倉健一郎,米岡将士,大山英典,E. Simoen,C. Claeys,,
    "Siバイポーラトランジスタの2MeV電子線照射におけるドーズ率依存性",
    第54回応用物理学関係連合講演会講演論文集第2分冊,p.818.,平成18年
  132. 岩村義明,葉山清輝,高倉健一郎,大山英典,
    "ドレイン電流の過渡特性によるSOI MOSFET の実効的な寄生容量評価方法",
    第21回熊本県産学官技術交流会論文集,pp., 2007年.,平成19年
  133. 日隈康裕,吉田智博,高倉健一郎,工藤友裕,葉山清輝,大山英典,
    "酸素及びSi添加?-Ga2O3膜の光学特性",
    平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会,講演予稿集,vol.33,145頁, 平成19年12月.,平成19年
  134. 岩村義明,葉山清輝,E.Simon, C.Claeys, 高倉健一郎,大山英典,J.M.Rafi, F.C.Campabadel,
    "Siフォトダイオードの陽子線照射損傷における基板依存性",
    2007年(平成19年度)応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集,Vol.33, p.103,平成19年12月.,平成19年
  135. 古閑大輝,日隈康裕,吉田智博,高倉健一郎,工藤友裕,葉山清輝,大山英典,
    "酸素及びSi添加?-Ga2O3膜の光学特性",
    第22回熊本県産学官技術交流会,講演論文集,pp.150-151, 平成20年1月.,平成20年
  136. 高倉健一郎,葉山清輝,大山英典,J. M. Rafi,F.Campabadal,E.Simoen,C.Claeys,
    "基板作製方法の異なるSiフォトダイオードの耐放射線性",
    第55回応用物理学関係連合講演会,講演予稿集,813頁, 平成20年3月.,平成20年
  137. 葉山清輝,高倉健一郎, A.Mercha, E.Simoen,紫垣一貞, C.Claeys,大山英典,
    "歪Si MOSFETの陽子線照射損傷",
    平成20年春季第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,第2分冊, p.813, 平成20年3月.,平成20年
  138. 葉山清輝,松本勉,
    "ハードウェア設計教育へのPBL導入の試み,",
    九州沖縄地区高専工学教育研究集会講演論文集,pp61-66, 平成20年3月.,平成21年
  139. 葉山 清輝,入江 博樹,工藤 友裕,
    "つくばチャレンジ2009における熊本高専の取組み",
    計測制御学会 第10回システムインテグレーション部門講演会(SI2009),平成21年12月.,平成21年
  140. 葉山清輝,入江博樹,,
    "トライコプターをもとにした垂直離着陸機の試作",
    ロボティクス・メカトロニクス講演会2015 in Kyoto, 2015年5月, 2A1-F01,平成27年
  141. 葉山清輝,
    "ドローン(無人航空機)の可能性の検証について ",
    第22回複数企業産学相談会・ラウンドテーブル,熊本市, 2015年7月,平成27年
  142. 葉山清輝,入江博樹,,
    "Maker Faire Tokyo 2015出展:熊本高専Makers",
    東京ビッグサイト, 2015/8/1-2 ,平成27年
  143. 入江博樹,葉山清輝,,
    "無人航空機を利用した熱赤外画像による水流観測方法",
    イノベーション・ジャパン2015,東京ビッグサイト,平成27年8月27-28日.,平成27年
  144. 八浪智大,木下拳汰,葉山清輝, 入江博樹,,
    "画像認識誘導によるマルチコプターの自律飛行制御",
    第23回電子情報通信学会九州支部学生会講演会論文集, 2015年9月, B-15,平成27年
  145. 木下拳汰,八浪智大,葉山清輝, 入江博樹,,
    "有線給電マルチコプターの自律ホバリングの研究",
    第23回電子情報通信学会九州支部学生会講演会論文集, 2015年9月, B-16,平成27年
  146. 上原雄大,葉山清輝, 入江博樹,,
    "先鋭電極のコロナ放電を利用したイオン風向風速計",
    第23回電子情報通信学会九州支部学生会講演会論文集, 2015年9月, C-31,平成27年
  147. 葉山清輝,入江博樹,,
    "Yamaguchi Mini Maker Faire 2015出展:熊本高専Makers",
    山口情報芸術センター, 2015/9/91-20,平成27年
  148. 葉山清輝, 入江博樹,,
    " 有線給電型マルチコプターの長時間飛行の検討",
    平成27年度(第68回)電気・情報関係学会九州支部連合大会講演論文集, 2015年9月, 02-1P-05,平成27年
  149. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "マイクロマウス九州地区大会について",
    九州プログラミング研究会 第29回定例研究会,平成22年3月
  150. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "教材用低周波発信器とオシロスコープについて",
    九州プログラミング研究会 第30回定例研究会,平成22年8月
  151. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),入江博樹(長岡技科大),
    "回収・再利用可能な自動環境計測用の自律垂直上昇機",
    九州・沖縄地区 高専 新技術マッチングフェア,資料集,pp.49-52,平成22年10月
  152. 博多哲也(制御情報システム工学科), 葉山 清輝(情報通信エレクトロニクス工学科), 入江 博樹(長岡技科大), 工藤 友裕(共通教育科),
    "つくばチャレンジ2010に向けた小型軽量ロボットの改善の取組み",
    計測制御学会 第11回システムインテグレーション部門講演会(SI2010),平成22年12月
  153. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),入江博樹(長岡技科大),
    "回収・再利用可能な自動環境計測用の自律垂直上昇機",
    九州横断4県合同(大分・熊本・佐賀・長崎) 新技術説明会,平成22年12月
  154. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "Androidで操作するラジコンカー",
    九州プログラミング研究会 第31回定例研究会,平成23年10月
  155. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "マイクロマウス九州地区大会について",
    九州プログラミング研究会 第31回定例研究会,平成23年10月
  156. 博多哲也(制御情報システム工学科), 葉山 清輝(情報通信エレクトロニクス工学科), 入江 博樹(長岡技科大), 工藤 友裕(共通教育科),
    "つくばチャレンジ2011に向けた小型ロボットの開発",
    計測制御学会 第12回システムインテグレーション部門講演会(SI2011),平成23年12月
  157. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),入江博樹(建築社会デザイン工学科),
    "気象観測を目的とした自転式飛行体のGPS による自律制御",
    平成24年度 測位航法学会 全国大会 セッション2-4,平成24年4月
  158. 入江博樹(建築社会デザイン工学科),葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "GPS Robot Car Contest の新ルール提案と初心者向けキットカーの開発",
    平成24年度 測位航法学会 全国大会 セッション2-4,平成24年4月
  159. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),入江博樹(建築社会デザイン工学科),
    "自転式自律飛行体の移動機構",
    計測制御学会 第13回システムインテグレーション部門講演会(SI2012),平成24年12月
  160. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),入江博樹(建築社会デザイン工学科),
    "自転式自律飛行体の開発",
    第27回 熊本県産学官技術交流会,平成25年1月
  161. 入江博樹(建築社会デザイン工学科),葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),麦田憲司,片山郁久,渡辺勇樹(日本システムデザイン),
    "汎用マイコンボードを活用したGPSロボットカーの試作",
    平成25年度 測位航法学会 全国大会,東京海洋大学 品川キャンパス,平成25年4月
  162. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),入江博樹(建築社会デザイン工学科),
    "3枚プロペラ形状の回転飛行体の開発とその飛行制御",
    ロボティクス・メカトロニクス講演会2013(ROBOMEC2013), つくば国際会議場,平成25年5月
  163. 入江博樹(建築社会デザイン工学科),葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "二重反転モータによる飛行体の自転制御によるフェールセーフ機能",
    ロボティクス・メカトロニクス講演会2013(ROBOMEC2013), つくば国際会議場,平成25年5月
  164. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),入江博樹(建築社会デザイン工学科),
    "気象観測を目的とした自転制御による自律飛行体",
    くまもと発 新技術説明会, JST東京本部別館ホール,平成25年8月
  165. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),入江博樹(建築社会デザイン工学科),
    "上空観測を目的とした自転式飛行体の開発",
    平成25年度(第66回)電気関係学会九州支部連合大会,平成25年9月
  166. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "mbedを使ったマイクロマウスとロボトレーサ",
    mbed祭り実行委員会, 大須第1アメ横ビル4F 貸会議室,平成25年9月
  167. 山田理園(電子工学科)、葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "mbedによる教育用マイクロマウスの開発",
    第21回電子情報通信学会九州支部学生会講演会,熊本大学(黒髪地区),平成25年9
  168. 坂口大成(電子工学科)、葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "ロボトレース競技ルールに即したmbedによる教育用ロボットの開発",
    第21回電子情報通信学会九州支部学生会講演会,熊本大学(黒髪地区),平成25年9
  169. 宮本貴浩(電子工学科)、葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "RFIDを利用した無電源・非接触計測システムの開発",
    第21回電子情報通信学会九州支部学生会講演会,熊本大学(黒髪地区),平成25年9
  170. 入江博樹,穴井晃太(建築社会デザイン工学科)、 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "安価なGPSモジュールを用いたGPSロボットカーの動作検証",
    平成26年度 測位航法学会 全国大会,東京海洋大学 品川キャンパス,平成26年4月23-25日,平成26年4月
  171. 入江博樹(建築社会デザイン工学科)、 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "無人航空機を利用した熱赤外画像による水流観測方法",
    くまもと発新技術説明会,JST東京本部別館ホール,平成26年8月1日
  172. 大隈千春(人間情報システム工学科),石橋孝昭,、 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),五反田博(近畿大学),
    "プログラミング制御による可変指向性マイクシステムの開発",
    第67回電気・情報関係学会九州支部連合大会講演会講演論文集, p. 64,平成26年9月
  173. 葉山清輝、石橋孝昭(情報通信エレクトロニクス工学科),大隈千春(人間情報システム工学科),五反田博(近畿大学),
    " 2マイクのリアルタイム処理による指向特性の実現",
    第67回電気・情報関係学会九州支部連合大会講演会講演論文集, p. 65,平成26年9月
  174. 石橋孝昭(情報通信エレクトロニクス工学科), 大隈千春(人間情報システム工学科)、 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),五反田博(近畿大学),
    "観測信号の振幅比を利用したブラインド音源分離",
    第67回電気・情報関係学会九州支部連合大会講演会講演論文集, p. 66,平成26年9月
  175. 田代皓太、石橋孝昭(情報通信エレクトロニクス工学科), 大隈千春(人間情報システム工学科)、 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),五反田博(近畿大学),
    "観測信号の分布の回転に基づくブラインド音源分離",
    第22回電子情報通信学会九州支部学生会講演会論文集, D-27,平成26年9月
  176. 佐藤之斗、 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "マルチコプターの有線給電による長時間飛行に関する研究",
    第22回電子情報通信学会九州支部学生会講演会論文集, B-27,平成26年9月
  177. 大塚弘文(制御情報システム工学科), 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "授業内演習のためのボール&ビーム実験装置開発",
    第57回自動制御連合講演会, 1C07-2,平成26年11月
  178. 石橋孝昭(情報通信エレクトロニクス工学科), 大隈千春(人間情報システム工学科),石橋孝昭 、 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),五反田博(近畿大学),
    "2チャンネルマイクによる任意指向特性の形成",
    第33回計測自動制御学会九州支部学術講演会予稿集,平成26年12月

解説・総説

  1. 葉山清輝,
    "「トラックリーダー寄稿 トラックB:空とぶネクストモビリティ、『空とぶネクストモビリティを終えて』」",
    ハイパーネットワーク別府湾会議2015 報告書,(公財)ハイパーネットワーク社会研究所,pp.25-27.,平成27年
  2. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科), 入江博樹(建築社会デザイン工学科), 齋藤郁雄(建築社会デザイン工学科),
    "気象観測を目的とした自転式飛行体のGPSによる自律制御",
    測位航法学会ニューズレター 第Ⅲ巻第2号,p.3,平成24年

特許

  1. 葉山清輝,入江博樹,
    "飛行体、改造キット、制御方法および制御",
    特願2016-154893,平成28年8月5日
  2. 石橋孝昭,葉山清輝,
    "音声処理装置、音声処理システム及び音声処理方法",
    特願2015-153718,平成27年8月3日
  3. 葉山清輝,大山英典,柿本幸司, 白土竜一,,
    "濃度測定装置および濃度計測方法",
    特願2003-364792, 平成15年10月, 特許公開2005-127906 ,平成15年
  4. 葉山清輝,大山英典,高倉健一郎,,
    "SOIトランジスタの評価方法および評価装置",
    特願2007-8969,平成19年1月, 特許公開2008-177333 ,平成19年
  5. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),入江博樹(長岡技科大),
    "気象観測装置",
    特願2010-232000,平成22年10月
  6. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),入江博樹(長岡技科大),
    " 飛行体",
    特願2010-232001,平成22年10月
  7. 入江博樹(建築社会デザイン工学科)、葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),
    "水流観測方法",
    特願2013-273196,平成25年12月
  8. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),入江博樹(長岡技科大),
    "気象観測装置",
    特許5633799号,平成26年
  9. 葉山清輝(情報通信エレクトロニクス工学科),入江博樹(長岡技科大),
    " 飛行体",
    特許5713231号,平成26年

その他

  1. ,
    "有線給電式ドローン 簡単な自律制御可能に 熊本高専が操縦法開発",
    日刊工業新聞掲載記事 ,8ページ,平成27年7月1日
  2. ,
    "株式会社ヴィネットとの共同研究「トイレの利用案内システムを開発」が紹介",
    くまもと経済,,p.130.,平成27年10月
  3. 葉山清輝,入江博樹,
    "Yamaguchi Mini Maker Faire 2015出展:熊本高専Makers",
    山口情報芸術センター,,平成27年9月
  4. 入江博樹,葉山清輝,
    "無人航空機を利用した熱赤外画像による水流観測方法",
    イノベーション・ジャパン2015,東京ビッグサイト,,平成27年8月27-28日
  5. 葉山清輝,入江博樹,
    "Maker Faire Tokyo 2015出展:熊本高専Makers",
    東京ビッグサイト,平成27年8月
  6. 葉山清輝,,
    "動物の侵入を検知する「電子ししおどし」",
    CQham radio増刊 エレキジャックNo.7,pp.17-27.,
  7. ,
    "「局所気象変動観測 自転式飛行体を試作 熊本高専 GPSで自律制御 」",
    日刊工業新聞 掲載記事,平成25年7月
  8. 葉山清輝,,
    "研究室出展,くまもと産業ビジネスフェア, グランメッセ熊本,平成23年2月9日.",
    平成23年
  9. ,
    " 「2重反転プロペラで浮揚する球形ラジコン機」,Make:Japan,2012.7.31, http://makezine.jp/blog/2012/07/rc_spheric_flyer.html",
    平成24年
  10. ,
    "「熊本高専,局所気候変動観測向け自転式飛行体を試作-GPSで自律制御」,日刊工業新聞Web版,2013年7月31日, http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720130731eaab.html",
    平成25年
  11. ,
    " 「プロペラからフレームまで竹製の「現実解としてのタケコプター」が癒されると評判」,InternetWatch,やじうまWatch, 2015/5/19, http://internet.watch.impress.co.jp/docs/yajiuma/20150519_702521.html",
    平成27年
  12. ,
    " 「竹とんぼ+ドローンで竹コプターを作った男がいた!果たして本当に飛ぶのか!?その制作風景を動画で」,Makings・jp,2015年5月20日,http://makings.jp/2591",
    平成27年
  13. ,
    " 「あのタケコプターが,意外な技術でついに実現!」,MakersLove,2015年5月20日,http://makerslove.com/9178.html",
    平成27年
  14. ,
    " 「現実解としての「竹コプター」,製作過程や飛行テストの動画公開。」,Narinari.com,2015/05/22 07:21 Written by Narinari.com編集部,http://www.narinari.com/Nd/20150531642.html",
    平成27年
  15. ,
    " 「ニコニコ技術部の本気!竹コプターを作ってみた」, Cycle Style of sports and Technology, http://cyclestyle.net/article/2015/05/26/23423.html",
    平成27年
  16. ,
    " 「特集2 メイカーズ旋風,日本へ」内,編集部が選んだ注目展示「垂直方向に離陸し,水平飛行するドローン」にて制作したVTOLの紹介記事,日経ものづくり,2015年9月,p. 60.",
    平成27年
  17. ,
    "Maker Faire Tokyo 2015, 記事中にて「竹で作ったドローン」と「VTOL」が紹介,月刊I/O,2015年10月,p.17.",
    平成27年
  18. ,
    "「アフロの変」フジテレビ,9月10日(木)25:35~26:35 にて 竹コプターとVTOLが紹介された",
    平成27年
  19. ,
    "日経ものづくり2015年9月,メイカーズ旋風日本へ、http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/mag/15/320900/082000002/index.html",
    平成27年