電子材料・デバイス研究部

電子材料・デバイス研究部主任 高倉 健一郎

1. はじめに(研究目的と概要)

結晶、多結晶及び非結晶半導体の物性研究を通して製作・集積化関連技術の蓄積とその刷新を図ることから、次世代においても対応可能な高機能半導体材料とデバイスの開発を行っています。

2. 活動内容

研究テーマ

・耐放射線半導体デバイスの開発
・超伝導体薄膜の開発
・透明電極材料の開発
・ニューロデバイスの開発

今年度より、八代キャンパスの木場、毛利両教員を研究部メンバーに迎え、学内における研究体制の充実を図りました。

セミナー

併せて、地場半導体・電子・情報系企業の技術者向けに次のセミナーも行っています。

・くまもとセミコン塾:平成11年度~(22 回開催)
・高専等を活用した人材育成事業(経産省中小企業庁):平成18~20年度
・もの作り分野の人材育成・確保事業(全国中小企業団体中央会)「熊本電波高専が持つスキルを活用した実践的もの作り人材育成事業」平成21、22年度

フォーラム

・第1回半導体材料・デバイスフォーラム:平成22年2月
・第2回半導体材料・デバイスフォーラム:平成22年12月
・第3回半導体材料・デバイスフォーラム:平成23年12月

半導体材料・デバイスに関する「最新の研究成果(動向)と熊本高専半導体デバイス研究部が締結している共同研究の成果」報告し、これを通して当該分野に従事する地場企業技術者と当該分野を学習・研究する高専・大学生の育成を図ることを目的にして、平成23年12月16日熊本テルサにて開催しました。

研究提携

・imec(ベルギー)
・Centro Nacional de Microelectronica (スペイン)

上記研究テーマを今後も継続するために、海外機関との共同研究契約を締結しました。

3. おわりに(今後の計画)

上記4つの研究テーマを継続・発展させるために、Institute for Energy Technology(ノルウェー)と、SiGe結晶の評価、太陽電池の高性能化について、更に連携を強化します。
参考HPアドレス:http://www2.ee.knct.ac.jp/SDR/


第3回半導体材料・デバイスフォーラムの様子

4.業績一覧

    1. “Damages of Ge devices by 2-MeV electrons and their recovery”, H. Ohyama, K. Sakamoto, H.Sukizaki, K. Takakura, M. Tsukamoto, K. Matsuo, I. Tsunoda, I. Kato, E. Simoen, B. De Jaeger and C. Claeys, Microelectronic Engineering, Vol. 88, pp. 480-483, (2011).
    2. “Evaluation of electron irradiated embedded SiGe source/drain diodes by Raman spectroscopy”,
    3. H. Ohyama, N. Naka, K. Takakura, M. Bargallo Gonzalez, E. Simoen and C. Claeys, Microelectronic Engineering, Vol. 88, pp. 484-487, (2011).
    4. “Radiation damage of Si1-xGex S/D p-type metal oxide semiconductor field effect transistor with different Ge concentrations”, T. Nakashima, T. Idemoto, I. Tsunoda, K. Takakura, M. Yoneoka, H. Ohyama,
    5. K. Yoshino, M.B. Gonzalez, E. Simoen, and C. Claeys, to be published in Thin Solid Films 520 pp. 3337-3340, (2012).
    6. “Degradation of GaN LEDs by Electron Irradiation”, H. Ohyama, K. Takakura, M. Hanada, T. Nagano,
    7. K. Yoshino, T. Nakashima, S. Kuboyama, E. Simoen and C. Claeys, Materials Science and Engineering B, 173, pp. 57-60, (2010).
    8. “Device performance of p-Ge MOSFETs at liquid nitrogen temperature”, H. Ohyama, K. Takakura,
    9. M. Motoki, K. Matsuo, H. Nakamura, M. Sawada, H. Midorikawa, S. Kuboyama, M. Gonzalez, E. Simoen, C. Claeys, Thin Solid Films, 404, pp. 2517-2520, (2010).
    10. “Effects of electron irradiation on SiGe devices”, H. Ohyama, K. Takakura, M. Motoki, K. Matsuo,
    11. M. Gonzalez, E. Simoen, C. Claeys, Thin Solid Films, 404, pp. 2513-2516, (2010).