半導体デバイス研究部

主任　高倉　健一郎

１．はじめに（研究目的と概要）

結晶、多結晶及び非結晶半導体の物性研究を通して製作・集積化関連技術の蓄積とその刷新を図ることから、次世代においても対応可能な高機能半導体材料とデバイスの開発を行っています。

２．活動内容

研究テーマ

  • 耐放射線半導体デバイスの開発
  • 透明電極材料の開発
  • ニューロデバイスの開発

セミナー

併せて、地場半導体・電子・情報系企業の技術者向けに次のセミナーも行っている。

  • くまもとセミコン塾：平成11年度～（22回開催）
  • 高専等を活用した人材育成事業（経産省中小企業庁）：平成18～20年度
  • もの作り分野の人材育成・確保事業（全国中小企業団体中央会）「熊本電波高専が持つスキルを活用した実践的もの作り人材育成事業」平成２１年度

第1回半導体材料・デバイスフォーラム

  • 第1回半導体材料・デバイスフォーラム：平成22年2月
  • 第2回半導体材料・デバイスフォーラム：平成22年12月

半導体材料・デバイスに関する「最新の研究成果（動向）と熊本高専半導体デバイス研究部が締結している共同研究の成果」を報告し、これを通して当該分野に従事する地場企業技術者と当該分野を学習・研究する高専・大学生の育成を図ることを目的にして、平成22年12月11、12日アークホテル熊本にて開催しました。

３．おわりに（今後の計画）

上記3つの研究テーマを継続・発展させるために、Centro Nacional de Microelectronica （スペイン）、University of Athens （ギリシャ）、Institute for Energy Technology（ノルウェー）と、SiGe結晶の評価、太陽電池の高性能化について、更に連携を強化します。

参考HPアドレス：http://www2.ee.knct.ac.jp/SDR/

ベルギー・フランダース政府貿易投資局　ベン・クルック氏 imec コール・クライス教授
学生によるポスター発表の様子 集合写真

第2回半導体材料・デバイスフォーラムの様子

４．最近の業績一覧

  1. H. Ohyama, N. Naka, K. Takakura, M. Bargallo Gonzalez, E. Simoen and C. Claeys, “Evaluation of electron irradiated embedded SiGe source/drain diodes by Raman spectroscopy”, to be published in Microelectronics Engineering
  2. H. Ohyama, K. Sakamoto, H. Sukisaki, K. Takakura, M. Tsukamoto, M. Motoki, K. Matsuo, I. Tsunoda, I. Kato, E. Simoen, B. De Jaeger and C. Claeys.“Damages of Ge devices by 2-MeV
    electrons and their recovery”, to be published in Microelectronics Engineering
  3. H. Ohyama, K. Takakura, M. Hanada, T. Nagano, K. Yoshino, T. Nakashima, S. Kuboyama, E. Simoen and C. Claeys, “Degradation of GaN LEDs by Electron Irradiation”, Mat. Sci.& Eng.
    B, vol. 173, no. 1-3, 2010, pp. 57-60
  4. H. Ohyama, H. Sukisaki, K. Takakura, M. Motoki, K. Matsuo, H. Nakamura, M. Sawada, M. Midorikawa, S. Kuboyama, B. De Jaeger, E. Simoen and C. Claeys, ”Device performance of
    p-Ge MOSFETs at liquid nitrogen temperature”, Thin Solid Films, vol. 518, 2010, pp. 2513-2516
  5. H. Ohyama, T. Nagano, K. Takakura, M. Motoki, K. Matsuo, H. Nakamura, M. Sawada, S. Kuboyama, M.B. Gonzalez , E. Simoen, G. Eneman and C. Claeys, “Effects of electron
    irradiation on SiGe devices”, Thin Solid Films, vol. 518, 2010, pp. 2517-2521
  6. M. Nakabayashi, H. Ohyama, T. Kaneko, K. Hanano, J.M. Rafi, E. Simoen and C. Claeys, “Effects of Irradiation Induced Lattice Defects on Standard Trench and Fine Pattern Trench
    IGBT Characteristics”, Phys. B, vol. 404, 2009, pp. 4674-4677
  7. H. Ohyama, S. Sakamoto, H. Sukisaki, K. Takakura, K. Hayama, M. Motoki, K. Matsuo, H. Nakamura, M. Sawada, M. Midorikawa, S. Kuboyama, B. De Jaeger, E. Simoen and C. Claeys, “Radiation Damage of Ge-on-Si Devices”, Mat. Sci. Sem. Proc., vol. 11, no. 5, 2009, pp. 2517-2520